广东工业大学郑照强获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利基于石墨烯/二硫化钨/钽镍硒晶体的异质结垂直器件、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498060B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211064483.2，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权基于石墨烯/二硫化钨/钽镍硒晶体的异质结垂直器件、制备方法及应用是由郑照强;张其洋设计研发完成，并于2022-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于石墨烯/二硫化钨/钽镍硒晶体的异质结垂直器件、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及基于石墨烯二硫化钨钽镍硒晶体的异质结垂直器件、制备方法及应用，属于光探测领域，所述异质结垂直器件从下到上包括SiSiO2衬底、石墨烯、WS2、Ta2NiSe5，两个电极分别在石墨烯和Ta2NiSe5上。制备方法：用机械剥离法剥离出石墨烯、WS2、Ta2NiSe5；用PVA干法转移将3种材料按顺序转移到SiSiO2上；光刻出电极位置；热蒸镀镀出电极。所制备薄膜器件表现出良好的自驱动光探测性能，具有性能稳定等优点。作为光电探测器能实现可见光到中红外波段的光探测功能，厚的Ta2NiSe5结构增强了探测器对中红外光线的吸收，使探测器具有灵敏度高、器件结构简单、实用性强的优点。
本发明授权基于石墨烯/二硫化钨/钽镍硒晶体的异质结垂直器件、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.基于石墨烯WS2Ta2NiSe5的异质结垂直器件，其特征在于：所述异质结垂直器件从下到上依次包括SiSiO2衬底、石墨烯薄膜层、与石墨烯薄膜层直接接触的WS2薄膜层、与WS2薄膜层直接接触的Ta2NiSe5薄膜层，两个电极分别在石墨烯薄膜层和Ta2NiSe5薄膜层上；其中，石墨烯薄膜层上的电极接源电极，Ta2NiSe5薄膜层上的电极接漏电极； 所述异质结垂直器件采用以下步骤的制备方法制备而成： 步骤一、采用机械剥离方法，将石墨烯、WS2和Ta2NiSe5粘附在SiSiO2衬底上； 步骤二、采用PVA干法将石墨烯、WS2和Ta2NiSe5按照顺序转移到SiSiO2衬底上，制得具有垂直排列的垂直异质结结构石墨烯-WS2-Ta2NiSe5； 步骤三、通过光刻和显影，制成电极图案； 步骤四、在步骤三所述电极图案掩膜上蒸镀金属，形成源电极和漏电极，在所述源电极和漏电极之间为沟道区； 步骤五、高温退火，得到异质结垂直器件。
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