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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种集成反相器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031258B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211066704.X，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权一种集成反相器及其制备方法是由王霄;王东;黄永;杨旭豪;陈财;陈兴;吴勇设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成反相器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成反相器及其制备方法，器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；衬底在第一区域的厚度大于在第二区域的厚度；缓冲结构层，设置于第二区域的衬底上；第一导电结构层和第二导电结构层，依次设置于缓冲结构层上，且第一导电结构层和第二导电结构层具有间隔的第一子区域和第二子区域，第一子区域的第一导电结构层和第二导电结构层形成异质结；第三导电结构层，设置于第二子区域的第二导电结构层上；第一源极和第二栅极之间以及第一漏极和第二源极之间电连接，第一栅极和第三栅极电连接为集成反相器的输入端，第二漏极和第三源极电连接为集成反相器的输出端；第三漏极为集成反相器的驱动电源连接端。本发明中的器件，集成度高。

本发明授权一种集成反相器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成反相器，其特征在于，包括： 具有第一区域和第二区域的衬底；所述衬底在所述第一区域的厚度大于在所述第二区域的厚度； 第一栅极、第一漏极和第一源极，设置于所述第一区域的所述衬底上，所述第一栅极位于所述第一漏极和所述第一源极之间，且所述第一栅极和所述衬底之间设置有第一栅介质层； 缓冲结构层，设置于所述第二区域的所述衬底上； 第一导电结构层和第二导电结构层，依次设置于所述缓冲结构层上，且所述第一导电结构层和第二导电结构层均具有间隔的第一子区域和第二子区域，所述第一子区域的所述第一导电结构层和所述第二导电结构层之间形成异质结； 第二栅极、第二漏极和第二源极，设置于所述第一子区域的所述第二导电结构层上，所述第二栅极位于所述第二漏极和所述第二源极之间； 第三导电结构层，设置于所述第二子区域的所述第二导电结构层上； 第三栅极、第三漏极和第三源极，设置于所述第三导电结构层上，所述第三栅极位于所述第三漏极和所述第三源极之间，且所述第三栅极和所述第三导电结构层之间设置有第二栅介质层； 所述第一源极和所述第二栅极之间，以及第一漏极和所述第二源极之间电连接，所述第一栅极和所述第三栅极电连接形成所述集成反相器的输入端，所述第二漏极和所述第三源极电连接形成所述集成反相器的输出端；所述第三漏极为所述集成反相器的驱动电源连接端。

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