广州华星光电半导体显示技术有限公司谢吉华获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利一种光刻装置及其制备方法、应用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115390367B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211022486.X，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种光刻装置及其制备方法、应用方法是由谢吉华设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻装置及其制备方法、应用方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种光刻装置及其制备方法、应用方法，光刻装置包括光源，光源出射刻蚀光；偏转结构，设于光源的出光面一侧，包括行列分布的偏转单元，每一偏转单元可独立控制其对应的刻蚀光的透过率；扩散结构，设于偏转结构远离光源的一侧，扩散结构用以对通过偏转结构后的刻蚀光进行扩散处理；驱动结构，用以驱动偏转单元的偏转方向。本实施例的有益效果在于，本实施例的一种光刻装置及其制备方法、应用方法以现有液晶显示面板为主体，在去除其内部彩色滤光单元后将其制备形成光刻装置，通过光源出射刻蚀光，通过阵列基板和彩膜基板驱动液晶层偏转实现刻蚀光的图案化，从而可以快速形成不同的刻蚀图案，无限制使用次数。
本发明授权一种光刻装置及其制备方法、应用方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻装置，其特征在于，包括 光源，包括一出光面，所述光源自所述出光面出射刻蚀光； 偏转结构，设于光源的所述出光面一侧，包括行列分布的偏转单元，每一偏转单元可独立控制其对应的刻蚀光的透过率，所述偏转结构远离所述光源的一侧设有遮光结构，所述遮光结构设有若干透光孔； 扩散结构，设于所述偏转结构远离所述光源的一侧，所述扩散结构包括若干间隔设置的凹槽，所述凹槽的开口朝向所述偏转结构，所述凹槽的底面为弧形面，且所述凹槽与所述透光孔一一对应，用以对通过所述偏转结构后的所述刻蚀光进行扩散处理； 驱动结构，用以驱动所述偏转单元的偏转方向。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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