京东方科技集团股份有限公司郝艳军获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利显示装置及显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115347028B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211013288.7,技术领域涉及:H10K59/122;该发明授权显示装置及显示面板是由郝艳军;屈财玉设计研发完成,并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置及显示面板在说明书摘要公布了:本公开提供了一种显示装置及显示面板。该显示面板包括多个发光结构,发光结构包括:阳极;第一发光单元,设于所述阳极的一侧,且包括相对设置的第一空穴传输层和第一电子传输层以及位于第一空穴传输层与第一电子传输层之间的第一发光层;电荷生成结构,设于第一发光单元背向阳极的一侧;至少部分电荷生成结构的电子迁移率小于第一电子传输层的电子迁移率;第二发光单元,设于电荷生成结构背向阳极的一侧,且包括相对设置的第二空穴传输层和第二电子传输层以及位于第二空穴传输层与第二电子传输层之间的第二发光层,第二空穴传输层位于阳极与第二电子传输层之间;阴极,设于第二发光单元背向阳极的一侧。本公开能够降低功耗。
本发明授权显示装置及显示面板在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括多个发光结构,所述发光结构包括: 阳极; 第一发光单元,设于所述阳极的一侧,且包括相对设置的第一空穴传输层和第一电子传输层以及位于所述第一空穴传输层与所述第一电子传输层之间的第一发光层,所述第一空穴传输层位于所述阳极与所述第一电子传输层之间; 电荷生成结构,设于所述第一发光单元背向所述阳极的一侧;至少部分所述电荷生成结构的电子迁移率小于所述第一电子传输层的电子迁移率; 第二发光单元,设于所述电荷生成结构背向所述阳极的一侧,且包括相对设置的第二空穴传输层和第二电子传输层以及位于所述第二空穴传输层与所述第二电子传输层之间的第二发光层,所述第二空穴传输层位于所述阳极与所述第二电子传输层之间; 阴极,设于所述第二发光单元背向所述阳极的一侧; 所述显示面板还包括:像素定义层、第一隔离结构以及第二隔离结构,相邻的所述发光结构的所述阳极通过所述像素定义层隔开,相邻的所述发光结构的所述第一发光层通过所述第一隔离结构隔开,相邻的所述发光结构的所述第二发光层通过所述第二隔离结构隔开;其中,所述像素定义层的高度小于所述第一隔离结构的高度,且小于所述第二隔离结构的高度。
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