厦门士兰明镓化合物半导体有限公司王亚宏获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利红外LED外延结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498080B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210991644.6，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权红外LED外延结构及其制造方法是由王亚宏;李森林;廖寅生;薛龙;赖玉财;谢岚驰设计研发完成，并于2022-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本红外LED外延结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种红外LED外延结构及其制造方法，该红外LED外延结构包括从下至上依次堆叠的：衬底、第一半导体层、第一空间层、多量子阱层、第二空间层以及第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层的掺杂类型相反，其中，第一空间层和第二空间层为超晶格结构，第一空间层各层中的最高Al组分小于第二空间层各层中的最高Al组分以使第一空间层和第二空间层形成非对称结构。本申请中的非对称空间层能够提高有效势垒的高度，抑制载流子的溢出，提升对载流子的量子限制效应；并且由于超晶格的隧道特性，载流子的迁移率得到提升；此外，采用非对称设计可以有效降低载流子溢出多量子阱，改善光场分布，提升红外发光二极管的光电效率及可靠性。
本发明授权红外LED外延结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种红外LED外延结构，包括从下至上依次堆叠的：衬底、第一半导体层、第一空间层、多量子阱层、第二空间层以及第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型相反， 其中，所述第一空间层和所述第二空间层均为超晶格结构，所述第一空间层各层中的最高Al组分小于所述第二空间层各层中的最高Al组分以使所述第一空间层和所述第二空间层形成非对称结构， 所述第一空间层中的超晶格层的单周期厚度不大于所述第二空间层中的超晶格层的单周期厚度。
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