河南大学郑海务获国家专利权
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龙图腾网获悉河南大学申请的专利基于压电光电子学效应增强Au/4H-SiC肖特基结输出的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295669B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210956945.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权基于压电光电子学效应增强Au/4H-SiC肖特基结输出的方法是由郑海务;周炎;张亚菊;任冰燕;刘红儒设计研发完成，并于2022-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于压电光电子学效应增强Au/4H-SiC肖特基结输出的方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电探测领域，涉及基于压电光电子学效应增强Au4H‑SiC肖特基结输出的方法。将预处理后的4H‑SiC单晶片通过电化学腐蚀方法垂直腐蚀得到4H‑SiC纳米线阵列，洗涤烘干后通过旋涂PMMA溶液将纳米线阵列包裹，通过氧等离子体清洗技术露出纳米线顶端，将Au电极沉积在纳米线阵列顶端，形成Au4H‑SiC肖特基结，最终通过压电马达在纳米线顶端施加压缩应变实现对Au4H‑SiC肖特基结光电响应的增强。本发明中的Au4H‑SiC肖特基结通过应变的施加，能够对不同机械力产生不同响应，可以明显的改变器件的输出性能。能够优化器件的输出性能，进一步用于外界机械刺激与SiC基电子器件的直接交互。
本发明授权基于压电光电子学效应增强Au/4H-SiC肖特基结输出的方法在权利要求书中公布了：1.基于压电光电子学效应增强Au4H-SiC肖特基结输出的方法，其特征在于：将预处理后的4H-SiC单晶片通过电化学腐蚀方法垂直腐蚀得到4H-SiC纳米线阵列，然后通过旋涂PMMA溶液将4H-SiC纳米线阵列包裹，利用氧等离子体清洗技术露出纳米线顶端，将Au电极沉积在4H-SiC纳米线阵列顶端，形成Au4H-SiC肖特基结，最终通过压电马达在纳米线顶端施加压缩应变实现对Au4H-SiC肖特基结光电响应的增强； 所述的预处理的方法为： （1）将4H-SiC单晶片依次放入丙酮、去离子水和乙醇中超声清洗，烘干备用； （2）将步骤（1）所得的清洗后的4H-SiC单晶片放入乙醇和氢氟酸的混合溶液中浸泡，去除表面氧化物； 所述步骤（1）中4H-SiC单晶片为N型掺杂，丙酮、去离子水、乙醇中的超声清洗时间均为20-30min。
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