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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种MLCC的外观缺陷检测方法、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115439410B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210925855.X，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权一种MLCC的外观缺陷检测方法、装置及存储介质是由罗家祥;邓筠钰;杨志宇;鲁思奇;李巍;胡跃明设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MLCC的外观缺陷检测方法、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MLCC的外观缺陷检测方法、装置及存储介质，其中方法包括：首先获取MLCC图像，进行旋转矫正，对矫正后的图像进行分割，得到电容本体、左、右电极区域图像；采用基于连续距离异常点的凸包检测法和基于电极对称特性的矩形检测法对电极边缘崩边、崩角缺陷进行检测；针对本体图像进行预处理，裁剪得到本体边缘位置图像，补全本体完整底边并得到本体边缘区域掩膜；采用基于异常白点位置的连通域检测法、基于多余边缘段的长度异常检测法和基于完整底边凹陷的滑动窗口检测法分别对本体边缘白点、裂痕和崩缺缺陷进行检测。本发明能够实现对MLCC电极崩边、崩角及本体白点、裂痕、崩缺缺陷的快速分类检测，可广泛应用于电子元器件缺陷检测领域。

本发明授权一种MLCC的外观缺陷检测方法、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种MLCC的外观缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取MLCC的图像，对获取到的图像进行旋转矫正，对矫正后的图像进行分割，获得电容本体区域图像、左电极区域图像及右电极区域图像； 采用固定阈值法，对左电极区域图像及右电极区域图像进行二值化处理，提取二值化图像的轮廓，获得电极轮廓；根据获得的电极轮廓，使用基于电极对称特性的矩形检测法对电极的边缘崩边缺陷和边缘崩角缺陷进行检测；若检测到存在缺陷，中断检测；反之，进行下一步电容本体检测； 对电容本体区域图像进行预处理，裁剪获得电容本体上边缘位置图像和下边缘位置图像，对获得的边缘位置图像进行底边补充操作，获得上边缘掩膜和下边缘掩膜； 根据上边缘掩膜和下边缘掩膜，采用基于异常白点位置的连通域检测法、基于多余边缘段的长度异常检测法和基于完整底边凹陷的滑动窗口检测法分别对电容本体的边缘白点、裂痕和崩缺缺陷进行检测； 其中，边缘崩边缺陷检测包括： 提取电极轮廓的凸包线； 遍历电极轮廓，依次计算电极轮廓上的像素点与凸包线之间的距离d； 当电极轮廓上某像素点与凸包线距离大于预设距离阈值dthr时，将该像素点作为异常点，并开始对连续异常点进行计数，判断当前连续异常点数是否超过预设异常像素点数阈值T，若超过，中断检测，判定电极存有边缘崩边缺陷；反之，连续异常点计数值清零，继续进行遍历过程，直至电极轮廓遍历完成； 边缘崩角缺陷检测包括： 获取电极轮廓的外接矩形，计算每一横坐标下左侧轮廓与外接矩形左侧边界之间距离dl、右侧轮廓与外接矩形右侧边界之间距离dr；计算每一纵坐标下上侧轮廓与外接矩形上侧边界之间距离du、下侧轮廓与外接矩形下侧边界之间距离dd； 遍历轮廓每一行，计算每一横坐标下距离dl与距离dr之差的绝对值，若差的绝对值大于预设的左右距离差值阈值，则将当前横坐标所在行作为异常行；若连续异常行行数达到预设异常行数阈值C，且该C行异常行轮廓与外接矩形左右侧边界差值均值dC大于预设异常行左右轮廓差值阈值，中断检测，判定电极存有边缘崩角缺陷； 遍历轮廓每一列，计算每一纵坐标下du与dd之差的绝对值，若差的绝对值大于预设的上下距离差值阈值，则将当前纵坐标所在行作为异常列；若连续异常列列数达到预设异常列数阈值R，且该R列异常列轮廓与外接矩形上下侧边界差值均值dR大于预设异常列上下轮廓差值阈值，中断检测，判定电极存有边缘崩角缺陷。

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