复旦大学陈琳获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种铁电3D堆叠环栅晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274452B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210918679.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种铁电3D堆叠环栅晶体管的制备方法是由陈琳;李振海;王天宇;孟佳琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铁电3D堆叠环栅晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种铁电3D堆叠环栅晶体管的制备方法，包括以下步骤：在衬底上外延生长多重第一Si层沟道材料层第二Si层叠层结构，且在各重第一Si层沟道材料层第二Si层叠层结构间形成隔离层；对所述第一Si层沟道材料层第二Si层叠层结构进行光刻、刻蚀形成纳米柱结构；原子层刻蚀沟道材料形成沟道，通过调整刻蚀深度控制沟道厚度；采用原子层沉积方法和各向异性刻蚀在所述沟道四周制备铪基铁电薄膜，并在其表面形成金属电极，通过调节铪基铁电薄膜的厚度控制沟道长度；在N2环境下进行快速热退火处理使铪基铁电薄膜转变为铁电相，获得铁电3D堆叠环栅晶体管。
本发明授权一种铁电3D堆叠环栅晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电3D堆叠环栅晶体管的制备方法，其特征在于， 包括以下步骤： 在衬底上外延生长多重第一Si层沟道材料层第二Si层叠层结构，且在各重第一Si层沟道材料层第二Si层叠层结构间形成隔离层； 对所述第一Si层沟道材料层第二Si层叠层结构进行光刻、刻蚀形成纳米柱结构； 原子层刻蚀沟道材料层形成沟道，通过调整刻蚀深度控制沟道厚度； 采用原子层沉积方法和各向异性刻蚀在所述沟道四周制备铪基铁电薄膜，并在其表面形成金属电极，通过调节铪基铁电薄膜的厚度控制沟道长度； 在N2氛围下进行快速热退火处理使铪基铁电薄膜转变为铁电相，获得铁电3D堆叠环栅晶体管。
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