广州诺尔光电科技有限公司亨利·H·阿达姆松获国家专利权
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龙图腾网获悉广州诺尔光电科技有限公司申请的专利一种红外探测器、成像芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377135B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210910696.6，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种红外探测器、成像芯片及其制备方法是由亨利·H·阿达姆松;苗渊浩设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种红外探测器、成像芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种红外探测器、成像芯片及其制备方法，提供具有NIPIPINI垂直结构的大尺度InGaAsOI衬底的制备方法，通过将受主衬底和施主衬底键合的方式形成在同一InGaAsOI衬底，并在将InGaAsOI衬底上分别形成短波红外InGaAs光电探测器和全耗尽InGaAs晶体管。本发明将短波红外InGaAs光电探测器和全耗尽InGaAs晶体管集成在同一衬底上，借助InGaAs材料的高迁移率及优异的光电性质，提供InGaAsOI衬底上短波红外成像芯片的单片光电集成方案，简化制造工艺步骤，降低成本。
本发明授权一种红外探测器、成像芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电探测器的集成方法，其特征在于，包括： 在第一衬底的表面由下至上依次形成缓冲结构层、垂直堆叠结构层和高迁移率沟道层，所述垂直堆叠结构层为P-I-N-I垂直堆叠结构或N-I-P-I垂直堆叠结构，然后在所述高迁移率沟道层的表面形成第一介质层，获得施主衬底；所述垂直堆叠结构采用的材料为n+-InP、i-InGaAs、p+-InP、i-InGaAs；所述高迁移率沟道层为i-In0.53Ga0.47As缓冲层； 在第二衬底的表面形成第二介质层，得到受主衬底； 以所述第一介质层和所述第二介质层为键合面，将所述受主衬底和所述施主衬底键合； 键合后去除第一衬底及缓冲结构层，形成第三衬底； 然后在所述第三衬底中自上至下进行垂直刻蚀至裸露出高迁移率沟道层，将第三衬底分隔成光电探测器区域和晶体管区域； 其中光电探测器区域形成光电探测器； 在晶体管区域刻蚀掉缓冲层、垂直堆叠结构，在裸露出的高迁移率沟道层上形成栅极和源漏极，形成晶体管； 将所述晶体管和所述光电探测器结构进行电连接。
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