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龙图腾网获悉中国计量科学研究院申请的专利一阶梯度并联型SQUID电流传感器阵列以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115407108B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210907765.8，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权一阶梯度并联型SQUID电流传感器阵列以及制备方法是由徐达;李劲劲;曹文会;王雪深设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一阶梯度并联型SQUID电流传感器阵列以及制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种一阶梯度并联型SQUID电流传感器阵列以及制备方法。两个约瑟夫森结结构间隔设置于环路电极，形成一个SQUID环路。每个环路电极形成一个封闭环路。每个SQUID环路中两个约瑟夫森结结构之间，形成了并联电感结构，可减小SQUID环路电感，使得SQUID工作时的临界电流范围更广，可以有效抵消外界磁场干扰。一个环路电极、一个第一约瑟夫森结结构与一个第二约瑟夫森结结构形成的一个SQUID环路采用一阶梯度简单结构，有利于减弱外界磁场干扰。一个环路电极对应的负极连接结构与相邻一个环路电极对应的正极连接结构连接，使得多个SQUID环路串联连接，形成了一阶梯度并联型SQUID电流传感器阵列。

本发明授权一阶梯度并联型SQUID电流传感器阵列以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种一阶梯度并联型SQUID电流传感器阵列，其特征在于，包括： 多个环路电极，形成一个封闭环路； 多个第一约瑟夫森结结构，每个所述第一约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于每个所述环路电极； 多个第二约瑟夫森结结构，每个所述第二约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于每个所述环路电极，且所述第一约瑟夫森结结构与所述第二约瑟夫森结结构间隔设置； 多个正极连接结构，每个所述正极连接结构与每个所述环路电极连接； 多个负极连接结构，每个所述负极连接结构分别与所述第一约瑟夫森结结构的第二超导薄膜结构和所述第二约瑟夫森结结构的第二超导薄膜结构连接； 一个所述环路电极对应的所述负极连接结构与相邻一个所述环路电极对应的所述正极连接结构连接； 每个所述环路电极包括： 第一环路电极； 第二环路电极，所述第二环路电极的第一端与所述第一环路电极的第一端连接，所述第二环路电极的第二端与所述第一环路电极的第二端连接，形成一个封闭环路； 每个所述第一约瑟夫森结结构与每个所述第二约瑟夫森结结构设置于同一水平线上，每个所述第一环路电极和每个所述第二环路电极关于所述水平线对称设置。

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