华进半导体封装先导技术研发中心有限公司杨帅获国家专利权
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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种半导体封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132705B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210889514.1，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权一种半导体封装结构及其制备方法是由杨帅;徐成设计研发完成，并于2022-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：一种半导体封装结构及其制备方法，其中半导体封装结构包括：重布线结构；倒装在重布线结构一侧的第一芯片，第一芯片与重布线结构电连接；第一塑封层，位于重布线结构的一侧且覆盖第一芯片；位于第一芯片的周侧的第一塑封层中的环状的第一开口；位于第一开口的侧壁表面以及第一塑封层背离重布线结构一侧表面的第一导电屏蔽层；位于第一开口中的导电件，导电件与第一开口底部的重布线结构电连接；第二芯片，第二芯片倒装在第一导电屏蔽层和第一塑封层背离重布线结构的一侧，第二芯片与导电件电学连接。所述半导体封装结构可以实现在垂直方向上堆叠的芯片之间的电磁屏蔽且所述半导体封装结构的结构稳定性与集成度高。
本发明授权一种半导体封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 重布线结构； 倒装在所述重布线结构一侧的第一芯片，所述第一芯片与所述重布线结构电连接； 第一塑封层，位于所述重布线结构的一侧且覆盖所述第一芯片； 位于所述第一芯片的周侧的第一塑封层中的环状的第一开口； 位于所述第一开口的侧壁表面以及所述第一塑封层背离所述重布线结构一侧表面的第一导电屏蔽层； 位于所述第一开口中的导电件，所述导电件与所述第一开口底部的重布线结构电连接； 第二芯片，所述第二芯片倒装在所述第一导电屏蔽层和所述第一塑封层背离所述重布线结构的一侧，所述第二芯片与所述导电件电学连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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