东芯半导体股份有限公司赖荣钦获国家专利权
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龙图腾网获悉东芯半导体股份有限公司申请的专利一种占空比调节器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132243B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210849584.4，技术领域涉及：G11C7/22；该发明授权一种占空比调节器是由赖荣钦设计研发完成，并于2022-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种占空比调节器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种占空比调节器，包括：第一占空比调节DCA模块，所述第一DCA模块包括M个并联的调节单元，每个调节单元包括与非门和NMOS晶体管，每个调节单元被配置成用于：输入到所述与非门的从低电平转换到高电平的时序延迟使所述NMOS在信号的上升沿不被打开，从而所述NMOS不会改变所述信号的上升沿；并且输入到所述与非门的从高电平转换到低电平的时序延迟使所述NMOS在信号的下降沿被打开，从而所述NMOS将所述信号的下降沿推迟，以增大所述信号的占空比。
本发明授权一种占空比调节器在权利要求书中公布了：1.一种占空比调节器，包括： 第一占空比调节模块，所述第一占空比调节模块包括M个并联的调节单元，每个调节单元包括与非门和NMOS晶体管，每个调节单元被配置成用于：输入到所述与非门的从低电平转换到高电平的时序延迟使所述NMOS在信号的上升沿不被打开，从而所述NMOS不会改变所述信号的上升沿；并且输入到所述与非门的从高电平转换到低电平的时序延迟使所述NMOS在信号的下降沿被打开，从而所述NMOS将所述信号的下降沿推迟，以增大所述信号的占空比，和或 第二占空比调节模块，所述第二占空比调节模块包括N个并联的调节单元，每个调节单元包括与非门和PMOS晶体管，每个调节单元被配置成用于：输入到所述与非门的从低电平转换到高电平的时序延迟使所述PMOS在信号的上升沿不被打开，从而所述PMOS不会改变所述信号的上升沿；并且输入到所述与非门的从高电平转换到低电平的时序延迟使所述PMOS在信号的下降沿被打开，从而所述PMOS将所述信号的下降沿提前，以减小所述信号的占空比。
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