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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050814B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210829743.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件是由魏杰;赵智家;彭小松;杨可萌;孙涛;郗路凡;邓思宇;廖德尊;张成;贾艳江;罗小蓉设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaNHEMT器件。利用干法刻蚀的负载效应形成沿源极到漏极随窗口宽度依次变小因而深度依次变浅的阶梯槽，并且引入经一次性氟离子注入实现的栅下氟离子区和渐变掺杂阶梯氟离子终端，同时实现增强型和高耐压。渐变掺杂阶梯氟离子终端能有效降低栅极附近的电场尖峰，并在靠近漏极的终端末端引入新的电场尖峰，优化漂移区表面电场分布，提高器件耐压。同时相较于在势垒层中注入氟离子的终端结构，在介质钝化层里注入氟离子能减小对二维电子气迁移率的影响，从而改善器件正向导通和动态特性。

本发明授权一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaNHEMT器件，沿器件垂直方向，包括自下而上依次层叠设置的衬底1、GaN缓冲层2、GaN沟道层3、AlGaN势垒层4以及介质钝化层5；沿器件横向方向，器件表面从一侧到另一侧依次具有源极6、氟离子槽栅结构、渐变掺杂阶梯氟离子终端8和漏极9；源极6和漏极9均沿器件垂直方向贯穿介质钝化层5，延伸到AlGaN势垒层4中，下表面与AlGaN势垒层4形成欧姆接触；氟离子槽栅结构从下至上依次包括栅下氟离子区80和栅极7，其中栅下氟离子区80穿过介质钝化层5进入AlGaN势垒层4中，栅极7上表面向左右延伸覆盖在介质钝化层5上，并且与渐变掺杂阶梯氟离子终端8的边缘不接触，栅极7下表面与栅下氟离子区80接触；渐变掺杂阶梯氟离子终端8沿源极到漏极的方向，由多个深度依次变浅且宽度依次变窄的介质槽和多个与槽底接触的氟离子区组成，各个氟离子区的宽度与相接触的介质槽的宽度相同，氟离子区仅在介质钝化层5内，且与AlGaN势垒层4上表面的纵向距离沿源极到漏极的方向依次变大。

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