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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利RHBD-12T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115171752B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210818360.7，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权RHBD-12T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块是由赵强;程伟;彭春雨;卢文娟;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本RHBD-12T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块在说明书摘要公布了：本发明涉及RHBD‑12T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块。基于源隔离与极性加固技术的RHBD‑12T抗辐照SRAM存储单元包括NMOS晶体管N1～N8和PMOS晶体管P1～P4，晶体管P1～P4和N3、N4作为上拉管，晶体管N1、N2、N5、N6作为下拉管，晶体管N1和P3构成一个反相器，晶体管N2和P4构成另一个反相器，两个反相器交叉耦合；两个主存储节点Q与QB通过N7与N8分别与位线BL和位线BLB相连，晶体管N7、N8由字线WL控制。本发明通过只设置两个敏感存储节点，大大减小了电路的敏感节点数量与敏感区域的面积，从而提高了电路的抗辐射性能。

本发明授权RHBD-12T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块在权利要求书中公布了：1.基于源隔离与极性加固技术的RHBD-12T抗辐照SRAM存储单元，其特征在于，其包括： PMOS晶体管P1； PMOS晶体管P2，P2的源极与P1的源极电连接； PMOS晶体管P3，P3的源极与P1的漏极电连接； PMOS晶体管P4，P4的源极与P2的漏极电连接，P4的漏极与P3的栅极电连接，P4的栅极与P3的漏极电连接； NMOS晶体管N1，N1的漏极与P3的漏极、P4的栅极电连接，N1的栅极与P3的栅极、P4的漏极电连接； NMOS晶体管N2，N2的源极与N1的源极电连接，N2的漏极与P4的漏极、P3的栅极、N1的栅极电连接，N2的栅极与P4的栅极、P3的漏极、N1的漏极电连接； NMOS晶体管N3，N3的源极与P2的栅极电连接，N3的漏极与P1的漏极电连接，N3的栅极与P2的源极、P1的源极电连接； NMOS晶体管N4，N4的源极与P1的栅极电连接，N4的漏极与P2的漏极电连接，N4的栅极与N3的栅极、P2的源极、P1的源极电连接； NMOS晶体管N5，N5的源极与N2的源极、N1的源极电连接，N5的漏极与N3的源极、P2的栅极电连接，N5的栅极与P4的漏极、N2的漏极、P3的栅极、N1的栅极电连接； NMOS晶体管N6，N6的源极与N5的源极、N2的源极、N1的源极电连接，N6的漏极与N4的源极、P1的栅极电连接，N6的栅极与P3的漏极、N2的栅极、P4的栅极、P3的漏极、N1的漏极电连接； NMOS晶体管N7，N7的漏极与N1的漏极、P3的漏极电连接，N7的源极与位线BL电连接，N7的栅极与字线WL电连接； NMOS晶体管N8，N8的漏极与N2的漏极、P4的漏极电连接，N8的源极与位线BLB电连接，N8的栅极与字线WL电连接； 晶体管P1、P2的源极共接VDD，晶体管N1、N2、N5、N6的源极共接地，晶体管P1～P4和N3、N4作为上拉管，晶体管N1、N2、N5、N6作为下拉管；晶体管N1和P3构成一个反相器，晶体管N2和P4构成另一个反相器，两个反相器交叉耦合；两个主存储节点Q与QB通过N7与N8分别与位线BL和位线BLB相连，晶体管N7、N8由字线WL控制。

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