TCL华星光电技术有限公司胡靖源获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020620B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210815237.X，技术领域涉及：H10K50/81；该发明授权阵列基板及显示面板是由胡靖源;武凡靖;胡威威设计研发完成，并于2022-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本发明提供了一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括：衬底；薄膜晶体管电路层，设于所述衬底上，包括薄膜晶体管；平坦化层，设于所述薄膜晶体管电路层上；第一电极，设于所述平坦化层上，通过贯穿所述平坦化层的过孔，与所述薄膜晶体管电连接；其中，所述第一电极为第一膜层第二膜层第三膜层的叠层结构，所述第一膜层与所述平坦化层接触设置，所述第二膜层与所述平坦化层间隔设置，在高温条件下，所述第一膜层相对于所述平坦化层为惰性。本发明通过在第一电极内增设第一膜层结构，在高温制程中，第一电极便不会与平坦化层中的水汽反应，从而避免了氢离子的产生，进而避免了薄膜晶体管的有源层被氢离子还原，而造成薄膜晶体管典型负漂的问题。
本发明授权阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 薄膜晶体管电路层，设于所述衬底上，包括薄膜晶体管； 平坦化层，设于所述薄膜晶体管电路层上； 第一电极，设于所述平坦化层上，通过贯穿所述平坦化层的过孔，与所述薄膜晶体管电连接，所述第一电极延伸至所述平坦化层的过孔内；其中， 所述第一电极为第一膜层第二膜层第三膜层的叠层结构，所述第一膜层与所述平坦化层接触设置，所述第二膜层与所述平坦化层间隔设置，在高温条件下，所述第一膜层相对于所述平坦化层为惰性，以使所述第一电极不与所述平坦化层中的水汽反应而产生氢离子； 所述第一膜层的材料为钼钛镍合金；所述第二膜层的材料为铝镍铜镧合金；所述第三膜层背离所述第二膜层的表面为钝化表面； 所述第二膜层的厚度为1000埃-3000埃，所述第三膜层的厚度为50埃-200埃。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人TCL华星光电技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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