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龙图腾网获悉苏州英嘉通半导体有限公司申请的专利具有高阈值电压的增强型功率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172460B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210813004.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权具有高阈值电压的增强型功率晶体管及其制备方法是由宁殿华;蒋胜;田伟;熊正兵;黄小蕾;李荷琴设计研发完成，并于2022-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有高阈值电压的增强型功率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种具有高阈值电压的增强型功率晶体管及其制备方法，所述增强型功率晶体管包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层和势垒层；钝化层结构，位于异质结上方，所述异质结及钝化层结构中沿第一方向形成有第一源极区域、第一栅极区域、漏极区域、第二源极区域及第二栅极区域；第一源极、第一栅极、漏极、第二源极及第二栅极，分别形成于第一源极区域、第一栅极区域、漏极区域、第二源极区域及第二栅极区域中，所述第一栅极与第二源极电性连接；所述第一源极、漏极和第二栅极分别作为增强型功率晶体管的源极、漏极和栅极。本发明能增加器件的阈值电压，同时降低器件栅极的漏电流。

本发明授权具有高阈值电压的增强型功率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高阈值电压的增强型功率晶体管，其特征在于，所述增强型功率晶体管包括： 衬底； 位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层和势垒层； 钝化层结构，位于异质结上方，所述异质结及钝化层结构中沿第一方向形成有第一源极区域、第一栅极区域、漏极区域、第二源极区域及第二栅极区域； 第一源极、第一栅极、漏极、第二源极及第二栅极，分别形成于第一源极区域、第一栅极区域、漏极区域、第二源极区域及第二栅极区域中，所述第一栅极与第二源极电性连接； 所述第一源极、漏极和第二栅极分别作为增强型功率晶体管的源极、漏极和栅极； 所述第一源极、漏极、第二源极分别包括第一金属层、第二金属层及第三金属层中的一层或多层，所述第一栅极、第二栅极分别包括第二金属层、第三金属层中的一层或多层； 所述第一金属层的材质为金属和或金属化合物，金属包括金、铂、镍、钛、铝、钯、钽、钨、钼中的一种或多种的组合，金属化合物包括氮化钛、氮化钽中的一种或多种的组合； 所述第二金属层的材质为金属和或金属化合物，金属包括金、铂、镍、钛、钯、钽、钨中的一种或多种的组合，金属化合物包括氮化钛、氮化钽中的一种或多种的组合； 所述第三金属层的材质为金属和或金属化合物，金属包括金、铂、镍、钛、钯、钽、钨中的一种或多种的组合，金属化合物包括氮化钛、氮化钽中的一种或多种的组合。

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