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龙图腾网获悉上海申矽凌微电子科技有限公司申请的专利温度传感器芯片的可靠性验证装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115166487B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210800071.4，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权温度传感器芯片的可靠性验证装置及方法是由李可设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本温度传感器芯片的可靠性验证装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种温度传感器芯片的可靠性验证装置及方法，包括温度转换模块、电压冲击模块、高低电压控制系统和高低温控制系统；所述高低温控制系统对温度传感器芯片所处的环境温度进行控制；所述温度转换模块对温度传感器芯片读取温度时进行模数转换；所述高低压控制系统对温度传感器芯片所处的环境电压进行控制；所述电压冲击模块对温度传感器芯片进行电压冲击。本发明的模型相较于韦布尔分布可以更准确更科学地评估高精度温度传感器芯片的可靠性。验证方案设计为改良版的高低温静放电工作寿命实验HLTESDOL，相较传统的HTOL实验，样品颗数要求低，实验时间大大缩短，准确性高。

本发明授权温度传感器芯片的可靠性验证装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种温度传感器芯片的可靠性验证方法，其特征在于，应用温度传感器芯片的可靠性验证装置，包括如下步骤： 改良实验步骤：通过高低温静放电工作寿命实验对温度传感器芯片进行验证，得到验证通过的待测样品数量； 失效率计算步骤：使用验证通过的待测样品数量结合加速可靠性模型计算温度传感器芯片的失效率； 评估步骤：通过失效率验证温度传感器芯片的可靠性； 该验证方法还包括建立加速可靠性模型步骤： 阿伦尼乌斯公式加速反应模型如下： 其中，AFT表示阿伦尼乌斯温度加速因子；Ea表示活化能；k表示玻尔兹曼常数；Tu表示日常使用条件下温度；Ta表示加速条件下温度； 建立加速可靠性模型： 其中，x2表示卡方检验；α表示卡方方程置信区间；d.F表示自由度；ATa表示与温度相关的加速因子；BVcc表示与电压相关的加速因子；CfT表示与读取温度时的模数转换频率相关的加速因子；DfV表示与电压冲击频率相关的加速因子；ss表示样品数量；FIT等价于失效率的计量单位，复数形式为FTIs； 其中，所述温度传感器芯片的可靠性验证装置，包括温度转换模块、电压冲击模块、高低电压控制系统和高低温控制系统； 所述高低温控制系统对温度传感器芯片所处的环境温度进行控制； 所述温度转换模块对温度传感器芯片读取温度时进行模数转换； 所述高低电压控制系统对温度传感器芯片所处的环境电压进行控制； 所述电压冲击模块对温度传感器芯片进行电压冲击。

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