浙江同芯祺科技有限公司严立巍获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江同芯祺科技有限公司申请的专利半导体表面槽孔的制备方法及IGBT器件表面槽孔的制备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210781688.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体表面槽孔的制备方法及IGBT器件表面槽孔的制备是由严立巍;文锺设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体表面槽孔的制备方法及IGBT器件表面槽孔的制备在说明书摘要公布了：本发明提出了一种半导体表面槽孔的制备方法及IGBT器件表面槽孔的制备，制备方法包括：S101，在硅基表面涂布有机碳层；S102，在有机碳层的侧壁制备第一防护部；S103，在第一防护部的外表面制备有机碳防护部；S104，在有机碳防护部的保护下，蚀刻制备沟槽；S105，去除有机碳层和有机碳防护部；S106，对硅基进行高温氧化工艺，形成氧化层；S107，在沟槽填充多晶硅；S108，对硅基注入N+；S109，在硅基表面制备ILD层；S110，临近第一防护部位置处制备第二防护部和金属孔；S111，在第二防护部的保护下金属填充金属孔。本发明通过设置第一防护部和第二防护部，利用不同材质选择比，在沟槽和接触孔的制备及填充过程中进行阻挡保护，提高了槽孔制备的良品率。
本发明授权半导体表面槽孔的制备方法及IGBT器件表面槽孔的制备在权利要求书中公布了：1.一种半导体表面槽孔的制备方法，其特征在于，包括： S101，在硅基表面涂布有机碳层； S102，在所述有机碳层的侧壁制备第一防护部； S103，在所述第一防护部的外表面制备有机碳防护部； S104，在所述有机碳防护部的保护下，蚀刻制备沟槽； S105，去除所述有机碳层和有机碳防护部； S106，对所述硅基进行高温氧化工艺，形成氧化层； S107，在所述沟槽填充多晶硅； S108，对所述硅基注入N+； S109，在所述硅基表面制备ILD层； S110，临近所述第一防护部位置处制备第二防护部和金属孔； S111，在所述第二防护部的保护下金属填充所述金属孔。
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