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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种Micro-LED器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274939B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210731564.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种Micro-LED器件制备方法是由曹冰;杨帆;蔡鑫设计研发完成，并于2022-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro-LED器件制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种Micro‑LED器件制备方法。该方法针对利用干法刻蚀制备Micro‑LED晶粒结构引发的产生侧壁损伤的问题进行改进。提出使用四甲基氢氧化铵化学腐蚀和侧壁钝化相结合的方式对其进行侧壁修复，能沿纵向腐蚀完Micro‑LED侧壁的非晶区，沿横向Micro‑LED结构破坏性较弱，腐蚀后的样品侧壁晶格完整且侧壁垂直；Micro‑LED晶粒形成之后，通过激光共聚焦显微镜与光致发光光谱相结合的光学评价方式对其进行早期性能评估，在封装之后对Micro‑LED器件的电学性能进行测试，将电学性能测试结果与早期发光性能评估相对照。本申请实能有效处理Micro‑LED侧壁损伤层，竖直化Micro‑LED侧壁，解决干法刻蚀后侧壁倾斜导致的量子阱上下区域面积不一致的问题。

本发明授权一种Micro-LED器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.基于干法刻蚀工艺在LED外延片上制备隔离槽，形成Micro-LED晶粒， 所述LED外延片包括衬底层，衬底层上表面依次沉积无掺杂层、N型层、量子阱层、P型层；所述隔离槽的深度至少深至N型层； S2.将S1制得的Micro-LED晶粒置于四甲基氢氧化铵溶液中，以修复干法刻蚀工艺引起的隔离槽的侧壁损伤； S3.在S2四甲基氢氧化铵溶液处理之后的Micro-LED晶粒的边缘及侧壁蒸镀绝缘钝化层； S4.利用激光共聚焦显微镜对Micro-LED晶粒的质量进行早期发光性能评估，再通过光致发光光谱测试Micro-LED晶粒表面各点的发光强度； S5.使用光刻工艺刻蚀掉Micro-LED晶粒表面的绝缘钝化层并露出P型层的上表面，并利用蒸镀工艺在露出P型层表面制备电流扩展层； S6.使用溅射工艺在Micro-LED晶粒表面制备阴阳电极，从而得到Mciro-LED芯片； S7.将S6制得的Mciro-LED芯片进行封装，从而获得Micro-LED器件，所述S7中还包括对Micro-LED器件的电学性能进行测试，将电学性能测试结果与早期发光性能评估相对照，以分析评估Micro-LED芯片损伤的因素发生源，其中，早期发光性能评估操包括： 使用激光共聚焦显微镜对经四甲基氢氧化铵溶液处理和侧壁钝化后的Micro-LED晶粒进行发光性能测试； 光源发出的光经准直扩束镜后入射至分光镜，被分光镜反射的光束透过物镜后在物镜的焦平面上形成汇聚点， Micro-LED晶粒放置于物镜的焦平面处，物镜对Micro-LED晶粒进行逐点扫描，扫描过程中样品被测Micro-LED晶粒受激发后产生荧光，荧光依次透过物镜、分光镜后经小孔滤波器入射至光电倍增管，光电倍增管中的信号经处理后形成被测Micro-LED晶粒的图像，通过对焦平面上每一个Micro-LED晶粒逐点扫描构成一组完整的Micro-LED晶粒共聚焦图像。

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