京东方科技集团股份有限公司王英涛获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利光源组件、显示面板、发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241357B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210715548.9，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权光源组件、显示面板、发光二极管及其制备方法是由王英涛;贾倩;孙雪菲;王新星设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本光源组件、显示面板、发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及显示技术，提供了一种光源组件、显示面板、发光二极管及其制备方法，发光二极管包括：第一电极盘以及第二电极盘、衬底层、外延层、第二电极引出盘以及电极引线；第二电极引出盘形成于外延层中远离所述衬底层的侧面；电极引线包括第一端以及第二端，第一端连接于所述第二电极引出盘，第二端穿过衬底层的引线过孔连接于所述第二电极盘。大大简化了垂直LED芯片的连接与封装工作，实现了垂直LED芯片能直接应用于玻璃基显示面板中，且不会增加工艺和成本。
本发明授权光源组件、显示面板、发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 第一电极盘以及第二电极盘，为相互间隔的两个电极连接端； 衬底层，包括第一侧面以及第二侧面，所述第二侧面具有用于成型外延层的外延区，所述第一电极盘以及所述第二电极盘设置在所述第一侧面外，所述衬底层设置有贯穿所述第一侧面以及所述第二侧面的引线过孔，所述引线过孔位于所述外延区以外； 第一半导体层，设置于所述衬底层第二侧面外，所述第一半导体层电连接于所述第一电极盘； 量子阱层，形成于所述第一半导体层远离所述衬底层的侧面； 第二半导体层，形成于所述量子阱层远离所述第一半导体层的侧面； 第二电极引出盘，形成于所述第二半导体层远离所述量子阱层的侧面； 电极引线，包括第一端以及第二端，所述第一端连接于所述第二电极引出盘，所述第二端穿过所述引线过孔连接于所述第二电极盘； 所述第一电极盘、所述第二电极盘与所述第一半导体层、所述量子阱层、所述第二半导体层位于所述衬底层的不同侧。
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