华灿光电(浙江)有限公司兰叶获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利改善光效的发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274953B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210698898.9，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权改善光效的发光二极管芯片及其制备方法是由兰叶;王江波;张威设计研发完成，并于2022-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善光效的发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善光效的发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片包括：基板、发光结构、第一电极和第二电极；所述发光结构包括依次层叠于所述基板上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个为p型层，所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的凹槽，所述第一电极位于所述凹槽内，所述第二电极位于所述第二半导体层远离所述基板的一侧；所述p型层的局部区域注入有硅离子，且所述局部区域环绕所述凹槽。本公开实施例能避免半导体层上刻蚀凹槽后产生的缺陷导致漏电的问题，改善芯片的光效。
本发明授权改善光效的发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善光效的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括：基板10、发光结构20、第一电极31和第二电极32； 所述发光结构20包括依次层叠于所述基板10上的第一半导体层21、多量子阱层22和第二半导体层23，所述第一半导体层21和所述第二半导体层23中的一个为p型层，所述第二半导体层23的表面具有露出所述第一半导体层21的凹槽24，所述第一电极31位于所述凹槽24内，所述第二电极32位于所述第二半导体层23远离所述基板10的一侧； 所述p型层的局部区域210注入有硅离子，且所述局部区域210沿着所述凹槽24的边缘环绕所述凹槽24。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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