芯合半导体公司李亮获国家专利权
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龙图腾网获悉芯合半导体公司申请的专利半导体器件插塞形成方法及其半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084013B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210667516.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件插塞形成方法及其半导体器件是由李亮;张宏光;杨珩;刘晃设计研发完成，并于2022-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件插塞形成方法及其半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件插塞形成方法及其半导体器件。在所提出的半导体器件插塞形成方法中，所述半导体器件包括深沟槽结构及配置于该深沟槽结构内的存储节点，该方法包括：a在所述深沟槽结构内填充单层膜，并覆盖所述存储节点；以及b回刻所述单层膜，以形成位于所述深沟槽结构内及所述存储节点周围的所述插塞，其中，所述单层膜形成单一衬垫层。
本发明授权半导体器件插塞形成方法及其半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种形成用于半导体器件的插塞的方法，其中，所述半导体器件包括深沟槽结构以及配置于所述深沟槽结构中的存储节点，其特征在于，所述方法包括： 步骤a在所述深沟槽结构内填充单层膜，并覆盖所述存储节点；以及 步骤b回刻所述单层膜以形成位于所述深沟槽结构内且位于所述存储节点周围的插塞，其中，所述单层膜形成单一衬垫层， 其中，所述深沟槽结构具有第一顶面，所述插塞的最靠近所述第一顶面的顶面低于所述第一顶面， 其中，由所述插塞的顶面、所述存储节点的侧壁以及所述深沟槽结构的侧壁限定出所述半导体器件的凹槽结构，所述凹槽结构围绕所述存储节点。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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