华灿光电(浙江)有限公司兰叶获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利改善分拣损伤的发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210482162.8，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权改善分拣损伤的发光二极管芯片及其制备方法是由兰叶;王江波;朱广敏设计研发完成，并于2022-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善分拣损伤的发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善分拣损伤的发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片包括：基板、发光结构、第一电极、第二电极和钝化层；发光结构层叠于基板上，第一电极和第二电极位于发光结构远离基板的表面，钝化层位于发光结构远离基板的表面，钝化层包括相连的顶针部分和周围部分，周围部分围绕顶针部分，且周围部分覆盖第一电极和第二电极，顶针部分位于第一电极和第二电极之间；顶针部分包括氮化硅层，氮化硅层远离基板的表面的粗糙度高于周围部分远离基板的表面的粗糙度。本公开实施例能改善分选芯片时芯片的外延结构易被顶裂的问题。
本发明授权改善分拣损伤的发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善分拣损伤的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括：基板10、发光结构20、第一电极31、第二电极32和钝化层40； 所述发光结构20层叠于所述基板10上，所述第一电极31和所述第二电极32位于所述发光结构20远离所述基板10的表面，所述钝化层40位于所述发光结构20远离所述基板10的表面，所述钝化层40包括相连的顶针部分41和周围部分42，所述周围部分42围绕所述顶针部分41，且所述周围部分42覆盖所述第一电极31和所述第二电极32，所述顶针部分41位于所述第一电极31和所述第二电极32之间； 所述顶针部分41包括氮化硅层410，所述氮化硅层410远离所述基板10的表面的粗糙度高于所述周围部分42远离所述基板10的表面的粗糙度，所述氮化硅层410包括依次层叠在所述发光结构20的表面上的第一子层411和第二子层412，所述第一子层411的致密度高于所述第二子层412的致密度，所述第一子层411的厚度大于所述第二子层412的厚度。
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