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龙图腾网获悉国家纳米科学中心申请的专利一种自支撑薄膜面内热导率的测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114935584B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210459837.7，技术领域涉及：G01N25/20；该发明授权一种自支撑薄膜面内热导率的测量方法是由王汉夫;褚卫国;王东伟;熊玉峰;徐波;郭令举设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自支撑薄膜面内热导率的测量方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种自支撑薄膜面内热导率的测量方法，所述测量方法包括以下步骤：1根据待测薄膜的关键物性参数确定待测薄膜的尺寸和加热电流的频率范围；2根据步骤1所得尺寸选取特定尺寸的待测薄膜，并利用所述待测薄膜和支撑框架制备薄膜‑框架复合体；3在步骤2所得薄膜‑框架复合体中待测薄膜的一侧表面沉积2条相互平行的导电条，分别为第一导电条和第二导电条；4根据步骤1所得加热电流的频率范围，利用步骤3所得导电条，并基于一维热传导模型的数据处理方法，测量得出所述待测薄膜的面内热导率。本发明提供的测量方法简化了制样流程，降低了测量成本，提高了测试效率，同时拓宽了可表征样品的范围。

本发明授权一种自支撑薄膜面内热导率的测量方法在权利要求书中公布了：1.一种自支撑薄膜面内热导率的测量方法，其特征在于，所述测量方法包括以下步骤： 1根据待测薄膜的关键物性参数确定待测薄膜的尺寸和加热电流的频率范围； 2根据步骤1所得待测薄膜的尺寸选取特定尺寸的待测薄膜，并利用所述特定尺寸的待测薄膜和支撑框架制备薄膜-框架复合体； 3在步骤2所得薄膜-框架复合体中待测薄膜的一侧表面沉积2条相互平行的导电条，分别为第一导电条和第二导电条，所述第一导电条和第二导电条的宽度分别为30-40μm； 4根据步骤1所得加热电流的频率范围，利用步骤3所得导电条，并基于一维热传导模型的数据处理方法，测量得出所述待测薄膜的面内热导率； 其中，步骤1所述待测薄膜的关键物性参数包括待测薄膜的厚度、热导率数量级与热扩散率数量级，且所述待测薄膜的尺寸和加热电流的频率范围确定过程基于以下条件： 1.1保证待测薄膜在厚度方向上的热穿透深度δ⊥5倍于待测薄膜的厚度dM，即为： 对应的加热电流频率f1为： 其中，α⊥是待测薄膜在厚度方向上的热扩散率数量级； 1.2保证待测薄膜在面内方向上的热穿透深度δ||5倍于导电条的半宽即为： 对应的加热电流频率f2为： f2＝α||25πwh 24 其中，α||是待测薄膜在面内方向上的热扩散率数量级； 1.3假设待测薄膜的面内热导率κ||呈现各向同性，保证与第一导电条相邻部分的薄膜在热导率测量方向上的热导GM10倍于第一导电条的电流导线及其所贴合的部分薄膜和电压导线及其所贴合的部分薄膜的热导Gb，即为： 且， 其中，Lh是第一导电条的长度；是电流电压导线及其所贴合的部分薄膜构成的复合结构的平均热导率；κh是电极层的热导率；dh是电极层的厚度；wi是电流导线的宽度；wv是电压导线的宽度；Li是电流导线的长度；Lv是电压导线的长度； 对应的加热电流频率f3为： 1.4保证待测薄膜在面内方向上的热穿透深度δ||15倍于待测薄膜悬空部分的半宽即为： 对应的加热电流频率f4为： f4＝25α||πl210 所述确定过程为：加热电流的频率上限fmax由f1和f2中的较小值确定，加热电流的频率下限fmin由f3和f4中的较大值确定；同时采用以下方法中的任意一种或至少两种的组合来保证f1和f2均大于f3和f4，并增加fmax和fmin之间频率窗口的宽度： A通过减小导电条的宽度wh来增加f2； B通过减小电极层的热导率κh和或电极层的厚度dh来降低f3； C通过增加电流导线的长度Li和或电压导线的长度Lv来降低f3； D通过增加待测薄膜悬空部分的宽度l来降低f4； 其中，方法C伴随着增加待测薄膜的纵向尺寸，方法D伴随着增加待测薄膜的横向尺寸，即确定待测薄膜的尺寸。

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