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龙图腾网获悉华北电力大学申请的专利一种适用于单芯绝缘导线的非接触式电压测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114814339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210421768.0，技术领域涉及：G01R19/04；该发明授权一种适用于单芯绝缘导线的非接触式电压测量方法是由刘灏;李嘉贤;毕天姝设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于单芯绝缘导线的非接触式电压测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于单芯绝缘导线的非接触式电压测量方法，利用多层薄膜缠绕待测绝缘导线，重构所述待测绝缘导线的柱状电场；其中，所述多层薄膜包括探测金属薄膜和辅助绝缘薄膜；基于所构建的柱状电场，采用3个传感器建立电压测量方程，求解所述电压测量方程得到所述待测绝缘导线的电压。上述方法能够在不断开电路且不破坏导线绝缘层的条件下实现电压幅值测量，具有安全、便捷的优点，提高了电压测量效率。

本发明授权一种适用于单芯绝缘导线的非接触式电压测量方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于单芯绝缘导线的非接触式电压测量方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤1、利用多层薄膜缠绕待测绝缘导线，重构所述待测绝缘导线的柱状电场；其中，所述多层薄膜包括探测金属薄膜和辅助绝缘薄膜； 在步骤1中，所述待测绝缘导线周围空间中电场如式1所示： 其中，E为电场强度，方向为径向；k为单位长度圆柱带电量；ε为绝缘层的介电系数，r为半径； 因为电压是电场沿半径方向的积分，故有式23： 其中，Ui为需要求解的待测电压；Uo1为1号传感器中探测金属薄膜与接地金属薄膜间的电压；R0为绝缘导线内部金属半径；R1为绝缘导线外部半径；R2为探测金属薄膜外部半径；R3为辅助绝缘薄膜外部半径； 联立式23可得Uo1与Ui之间的关系如下所示： 步骤2、基于步骤1所构建的柱状电场，采用3个传感器建立电压测量方程，求解所述电压测量方程得到所述待测绝缘导线的电压； 在步骤2中，利用1号和2号传感器建立的电压测量方程为： 其中，探测金属薄膜厚度为D1；辅助绝缘薄膜厚度为D2；Uo1为1号传感器中探测金属薄膜与接地金属薄膜间的电压；Uo2为2号传感器中探测金属薄膜与接地金属薄膜间的电压； 进一步得到需要求解的待测电压Ui关于绝缘导线外部半径R1的函数fR1，如式6所示： 当绝缘导线外部半径R1可测量时，将测量得到的R1代入式6即可得到待测电压； 当绝缘导线外部半径R1无法准确测量时，采用3号传感器增加一个测量方程，此时利用1号和3号传感器建立的电压测量方程为式： 其中，探测金属薄膜厚度为D1；辅助绝缘薄膜厚度为D2；Uo1为1号传感器中探测金属薄膜与接地金属薄膜间的电压；Uo3为3号传感器中探测金属薄膜与接地金属薄膜间的电压； 得到一个新的待测电压Ui关于绝缘导线外部半径R1的函数gR1，如式8所示： 由于输入电压相同，可由式6和8得到以R1为自变量的函数FR1，如式9所示： FR1＝fR1-gR19 该函数FR1在R1领域内单调且连续，采用二分法逐步逼近得到绝缘导线外部半径R1，再将R1代入式6或8得到待测电压。

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