赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司周国安获国家专利权
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龙图腾网获悉赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司申请的专利一种微系统薄膜平坦化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115385295B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210411850.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种微系统薄膜平坦化方法是由周国安;罗大杰;马琳设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微系统薄膜平坦化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微系统薄膜平坦化方法，其中包括：提供形成有图形化薄膜的半导体衬底；在图形化薄膜上形成平坦层，对图形化薄膜形成图形化填充；采用多区域抛光头对平坦层抛光至预设厚度；抛光时间不大于3min；对抛光后的平坦层在化学机械平坦化设备内进行清洗。本发明方法制作薄膜时厚度更易于控制，且获得的薄膜平坦度及稳定性更加良好。
本发明授权一种微系统薄膜平坦化方法在权利要求书中公布了：1.一种微系统薄膜平坦化方法，其特征在于，包括： 提供形成有图形化薄膜的半导体衬底； 在所述图形化薄膜上形成平坦层，对所述图形化薄膜形成图形化填充； 采用多区域抛光头对所述平坦层抛光至预设厚度；其中，抛光时间不大于3min； 对抛光后的所述平坦层在化学机械平坦化设备内进行清洗； 所述平坦层包括第一平坦层和第二平坦层；所述在所述图形化薄膜上形成平坦层，包括： 在所述图形化薄膜上沉积所述第一平坦层； 对所述第一平坦层进行快速热退火处理； 在完成快速热退火处理的所述第一平坦层上沉积所述第二平坦层； 对所述第二平坦层进行快速热退火处理； 所述采用多区域抛光头对所述平坦层抛光至预设厚度，包括： 控制所述抛光头压力为不小于5psi、转速不小于100rpm、所述抛光头和抛光台的转速差异不大于6rpm，以使所述抛光速率达到8000分钟-13000埃分钟。
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