厦门普为光电科技有限公司卢福星获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门普为光电科技有限公司申请的专利具高气密性的发光二极管及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114883467B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210371718.6,技术领域涉及:H10H20/84;该发明授权具高气密性的发光二极管及其制造方法是由卢福星;林智荣设计研发完成,并于2022-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本具高气密性的发光二极管及其制造方法在说明书摘要公布了:一种具高气密性的发光二极管,其包含基板、反射环及发光二极管芯片。反射环设置于基板上,使反射环与基板间形成容置空间。发光二极管芯片设置于基板上,并位于容置空间中。其中,基板的表面具有第一有机物涂层,反射环的表面具有第二有机物涂层,发光二极管芯片的表面具有第三有机物涂层,容置空间填充有填充材料。上述的多个有机物涂层能增加发光二极管的气密性,故可有效地延长发光二极管的使用寿命。
本发明授权具高气密性的发光二极管及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种具高气密性的发光二极管,其特征在于,包含: 基板; 反射环,设置于所述基板上,使所述反射环与所述基板间形成容置空间; 发光二极管芯片,设置于所述基板上,并位于所述容置空间中;以及 支架,设置于所述基板上以支撑所述反射环; 其中,所述基板的表面具有第一有机物涂层,所述反射环的表面具有第二有机物涂层,所述发光二极管芯片的表面具有第三有机物涂层,所述容置空间填充有填充材料,所述支架的顶端表面、所述填充材料的表面及所述反射环的顶端表面形成顶端平面,所述顶端平面具有第四有机物涂层,所述第一有机物涂层、所述第二有机物涂层、所述第三有机物涂层及所述第四有机物涂层为低密度聚乙烯或硅树脂。
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