长江存储科技有限责任公司张中获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器、其制作方法以及具有其的存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210313527.4，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权三维存储器、其制作方法以及具有其的存储系统是由张中;王迪;周文犀设计研发完成，并于2022-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器、其制作方法以及具有其的存储系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种三维存储器、其制作方法以及具有其的存储系统。该制作方法包括以下步骤：提供表面具有栅极堆叠结构的第一衬底，栅极堆叠结构具有远离第一衬底的第一表面，多层控制栅结构包括靠近第一表面的多层顶部选择栅，多层顶部选择栅中最靠近第一衬底的一层顶部选择栅为第一顶部选择栅，其余顶部选择栅为第二顶部选择栅；在栅极堆叠结构远离第一衬底的一侧形成接触孔和顶部选择栅开口，接触孔贯穿第二顶部选择栅至第一顶部选择栅，顶部选择栅开口贯穿第一顶部选择栅；在顶部选择栅开口中形成顶部选择栅切线，并在接触孔中形成与第一顶部选择栅接触的接触部。上述方法不仅节省了工艺时间和工艺成本，还节省了工艺窗口，有利于器件的微缩化。
本发明授权三维存储器、其制作方法以及具有其的存储系统在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供表面具有栅极堆叠结构的第一衬底，所述栅极堆叠结构包括沿远离所述第一衬底的方向交替的多层控制栅结构和多层隔离层，所述栅极堆叠结构具有远离所述第一衬底的第一表面，所述多层控制栅结构包括靠近所述第一表面的多层顶部选择栅，所述多层顶部选择栅中最靠近所述第一衬底的一层顶部选择栅为第一顶部选择栅，其余顶部选择栅为第二顶部选择栅； 在所述栅极堆叠结构远离所述第一衬底的一侧形成接触孔和顶部选择栅开口，所述接触孔贯穿所述第二顶部选择栅至所述第一顶部选择栅，所述顶部选择栅开口贯穿所述第一顶部选择栅； 在所述顶部选择栅开口中形成顶部选择栅切线，并在所述接触孔中形成与所述第一顶部选择栅接触的接触部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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