重庆大学刘玉菲获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利基于热释电效应的异质直接键合技术获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678463B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210280967.4，技术领域涉及：H10N30/072；该发明授权基于热释电效应的异质直接键合技术是由刘玉菲;王鑫微;崔洪源;代付康;李东玲设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于热释电效应的异质直接键合技术在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于热释电效应的异质直接键合技术。该发明公开了该直接键合的实验方法包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆与所述第二晶圆均至少具有一个光滑表面，所述第一晶圆具有热释电效应；将所述第一晶圆的光滑表面放置于所述第二晶圆的光滑表面，使所述第一晶圆与所述第二晶圆构成预键合体；对所述预键合体的上表面和或下表面施加压力，同时，对所述预键合体进行加热；释放所述预键合体上的压力，并对所述预键合体进行降温。该方法可以通过简单的设备、简略的步骤，无需引用中间层，利用第一晶圆本身的特性使所述第一晶圆与第二晶圆键合。
本发明授权基于热释电效应的异质直接键合技术在权利要求书中公布了：1.一种基于热释电效应的异质直接键合技术，其特征在于包括以下步骤： S1：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆与所述第二晶圆均至少具有一个光滑表面，所述第一晶圆具有热释电效应，所述第一晶圆及所述第二晶圆的熔点在500℃以上； S2：将所述第一晶圆的光滑表面放置于所述第二晶圆的光滑表面，使所述第一晶圆与所述第二晶圆构成预键合体； S3：对所述预键合体的上表面和或下表面施加压力，使所述第一晶圆与所述第二晶圆之间的压强在0.025Mpa-0.100Mpa之间，同时，对所述预键合体进行加热； S4：释放所述预键合体上的压力，并对所述预键合体进行降温，降温的执行时间不超过1小时。
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