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龙图腾网获悉艾司博国际有限公司申请的专利嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114758958B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210237171.0，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构及其封装方法是由方立志设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构及其封装方法，涉及半导体加工技术领域，包括步骤一：制作芯片级封装；步骤二：制作扇出型封装；步骤三：将若干个芯片级封装与第一玻璃载具进行黏附组装；步骤四：在各个扇出型封装的外侧加工第二压模树脂层，在第二压模树脂层制作若干个对应各个扇出型封装的第三RDL层，最上层第三RDL层的接点处设置有第三铜凸块，在第三铜凸块处植锡球，得到初始产品；步骤五：将第一玻璃载具分离，再将初始产品切成单颗。本发明将复数个芯片级封装嵌入于压模树脂，因为复数个芯片级封装的共面性，不会因后续制程而改变良好的共面性，并且因为多芯片封在同一封装体，可以使系统的体积缩小。

本发明授权嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.嵌入传感器或显示芯片的扇出封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：制作芯片级封装（3），并在芯片级封装（3）的上侧加工出锡铜凸块； 步骤二：制作扇出型封装（4），并在扇出型封装（4）上、下两侧分别加工出第二面接点和第一面锡铜接点，在第二面接点的上侧加工出第二铜凸块（49）； 步骤三：将若干个芯片级封装（3）与第一玻璃载具（1）进行黏附组装，将各个扇出型封装（4）的第一面锡铜接点对齐对应芯片级封装（3）的锡铜凸块，焊接形成电性导通； 步骤四：在各个芯片级封装（3）和扇出型封装（4）的外侧加工第二压模树脂层（5），在第二压模树脂层（5）制作若干个对应各个扇出型封装（4）的第三RDL层（6）； 步骤五：将第一玻璃载具（1）分离，再将复数颗芯片级封装（3）和扇出型封装（4）为一组单位切成单颗，单颗内部含有三组组装后的芯片级封装（3）和扇出型封装（4），完成芯片级封装（3）嵌入于扇出型封装（4）的制程后，复数个芯片级封装（3）嵌入于压模树脂。

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