福建省晋华集成电路有限公司张钦福获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784005B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210229784.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储装置是由张钦福;童宇诚设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：半导体存储装置，包括阵列区以及围绕着阵列区的周围区。阵列区包括多个有源区以及位于有源区之间的第一绝缘层。周围区包括周围结构、围绕着周围结构的第二绝缘层，以及围绕着第二绝缘层的第三绝缘层。至少一埋入式字线，延伸穿过阵列区及周围区，其中埋入式字线切过第二绝缘层的部分包括颈部轮廓，为埋入式字线沿线的最高电阻值处。当半导体存储装置包括多条埋入式字线，本发明可使埋入式字线之间具有较一致的电阻值及信号延迟时间。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括： 一阵列区，包括多个有源区，以及一第一绝缘层的第一部分位于所述多个有源区之间； 围绕所述阵列区的一周围区，包括： 一周围结构； 一第二绝缘层，围绕所述周围结构；以及 第一绝缘层的第二部分，设置在所述周围结构和所述第二绝缘层之间，其中所述周围结构和所述第二绝缘层通过所述第一绝缘层的第二部分隔开； 一第三绝缘层，围绕所述第二绝缘层；以及 至少一埋入式字线，延伸穿过有源区、所述第一绝缘层的第一部分、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层的第二部分，从平面图看，所述埋入式字线切过所述第二绝缘层的部分包括一颈部轮廓。
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