中国科学院微电子研究所邹宇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利MEMS红外光源及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116730276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210214889.8，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权MEMS红外光源及其制作方法是由邹宇;蒋文静;欧文设计研发完成，并于2022-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS红外光源及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS红外光源及其制作方法，MEMS红外光源包括：衬底、支撑层、调节发射结构、加热结构和电极结构；所述调节发射结构包括：第一金属层、介质层和第二金属层；所述第一金属层贴合在所述介质层的下方，所述第二金属层贴合在所述介质层的上方，所述第一金属层与所述支撑层连接；所述加热结构贴合在所述介质层的上方，所述加热结构与所述第二金属层间隙配合，所述加热结构与所述电极结构电连接；所述支撑层与所述衬底连接，所述支撑层用于将调节发射结构固定在衬底上。本发明能够提高MEMS红外光源的调制特性。
本发明授权MEMS红外光源及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS红外光源，其特征在于，包括：衬底、支撑层、调节发射结构、加热结构和电极结构； 所述调节发射结构包括：第一金属层、介质层和第二金属层； 所述第一金属层贴合在所述介质层的下方，所述第二金属层贴合在所述介质层的上方，所述第一金属层与所述支撑层连接； 所述加热结构贴合在所述介质层的上方，所述加热结构与所述第二金属层间隙配合，所述加热结构与所述电极结构电连接； 所述支撑层与所述衬底连接，所述支撑层用于将调节发射结构固定在衬底上。
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