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龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院申请的专利一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaN HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843335B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210205185.4，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaN HEMT器件及其制备方法是由宓珉瀚;马晓华;龚灿;周雨威;王鹏飞;张濛;侯斌;杨凌设计研发完成，并于2022-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaN HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaNHEMT器件及其制备方法，采用高极化强度低方阻异质结材料进行器件制备；光刻定义出源极的欧姆再生长区域；在光刻胶的掩蔽下，对源极欧姆再生长区域的氮化物进行刻蚀；外延n+GaN；光刻定义出自终止刻蚀区域；在光刻胶的掩蔽下，对自终止刻蚀区域的n+GaN进行自终止刻蚀；对器件隔离区域再次进行自终止刻蚀以去除未被光刻胶保护区域的表面n+GaN。本发明制备的器件工作电压增加时，源极势垒高度发生降低、势垒厚度发生减薄使得源极再生长台阶Ledge与2DEG沟道间发生热电子转移或者隧穿等，使得源极导电通路增加，削弱了由于电流增加导致源极接入电阻的增加，使得GaNHEMT的线性度提升。

本发明授权一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaN HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaNHEMT器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、在衬底10上依次生长GaN缓冲层20和势垒层30；所述GaN缓冲层20和所述势垒层30构成异质结结构； 步骤二、光刻定义源极的欧姆再生长区域，所述欧姆再生长区域位于所述势垒层30的一侧； 步骤三、采用干法刻蚀的方法将源极的所述欧姆再生长区域的势垒层30刻蚀直至所述GaN缓冲层20和所述势垒层30交界处以下至少20nm处，形成刻蚀槽31； 步骤四、在步骤三制备的产品上外延n+GaN层40，掺杂浓度在1e20cm-3量级以上，以在所述刻蚀槽31上的n+GaN层40上方形成凹槽41； 步骤五、光刻定义自终止刻蚀区域42，所述自终止刻蚀区域42位于所述n+GaN层40的中部； 步骤六、采用干法刻蚀的方法将所述自终止刻蚀区域42暴露的n+GaN层40去除，刻蚀气体为SF6BCl3； 步骤七、光刻定义隔离区50在所述n+GaN层40上对应的待刻蚀区域43，所述待刻蚀区域43位于所述步骤六制备的产品的边缘上； 步骤八、采用干法刻蚀的方法将所述待刻蚀区域43暴露的n+GaN层40去除，并形成第一n+GaN外延层60和第二n+GaN外延层70； 步骤九、利用离子注入设备，在所述隔离区50注入B或Ar离子，以形成所述隔离区50，实现器件隔离； 步骤十、利用电子束蒸发设备在所述凹槽41内和所述第二n+GaN外延层70上淀积电极金属，形成源极80和漏极90； 步骤十一、在步骤十制备的产品表面淀积钝化层92，并采用干法刻蚀的方法将所述源极80和所述漏极90上的钝化层92去除； 步骤十二、采用干法刻蚀的方法将栅极区域的钝化层92去除，所述栅极区域位于所述源极80和所述漏极90之间；并在栅极区域淀积电极金属，形成栅极91，制备完成得到基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaNHEMT器件。

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