长江先进存储产业创新中心有限责任公司刘峻获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利一种三维存储器的制造方法及三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649366B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210160775.X，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权一种三维存储器的制造方法及三维存储器是由刘峻;张恒;陈营设计研发完成，并于2022-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维存储器的制造方法及三维存储器在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种三维存储器及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体结构，半导体结构包括存储区和对位区，存储区内设置有第一导电线环、下部相变存储单元及第二导电线环；采用一道刻蚀工艺，在存储区和对位区内分别形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽用于移除第一导电线环的两个端部、第二导电线环的两个端部以分别形成第一导电线、第二导电线；形成第一介质层，第一介质层覆盖半导体结构且填充第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽内具有缝隙；对第一介质层及半导体结构执行平坦化工艺以暴露出第二导电线及缝隙；在半导体结构上形成上部相变存储堆叠材料层，上部相变存储堆叠材料层在缝隙的上方位置处形成有凹陷，凹陷构成第一对准标记。
本发明授权一种三维存储器的制造方法及三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体结构，所述半导体结构包括存储区和对位区，所述存储区内由下至上设置有第一导电线环、下部相变存储单元及第二导电线环； 采用一道刻蚀工艺，在所述存储区和所述对位区内分别形成第一沟槽和第二沟槽；其中，所述第一沟槽用于移除所述第一导电线环的两个端部、所述第二导电线环的两个端部以分别形成第一导电线、第二导电线； 形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体结构且填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；其中，所述第二沟槽内具有未被所述第一介质层填充的缝隙； 对所述第一介质层及所述半导体结构执行平坦化工艺以暴露出所述第二导电线及所述缝隙； 在所述半导体结构上形成上部相变存储堆叠材料层，所述上部相变存储堆叠材料层在所述缝隙的上方位置处形成有凹陷，所述凹陷构成第一对准标记。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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