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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于多栅调制的多阈值耦合器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724950B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210148223.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种基于多栅调制的多阈值耦合器件及其制备方法是由朱青;陈怡霖;张濛;马晓华;田晓坤;宓珉瀚设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多栅调制的多阈值耦合器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于多栅调制的多阈值耦合器件及其制备方法，方法包括：选取衬底层；在衬底层上生长缓冲层；在缓冲层上生长i‑GaN层；在i‑GaN层上生长AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上淀积欧姆金属；从AlGaN势垒层的外围注入离子至i‑GaN层内；在AlGaN势垒层上制备SiN层；将栅脚区域的SiN层去除；在栅脚区域的AlGaN势垒层上淀积平面栅金属，制备平面栅；间隔去除凹槽栅区域的平面栅金属、部分AlGaN势垒层，使平面栅金属呈预设间隔间断排布；在凹槽栅区域的AlGaN势垒层上和间隔排布的平面栅金属上制备Al2O3介质层；在凹槽栅区域Al2O3介质层的底部和侧壁上淀积凹槽栅金属，制备凹槽栅。本发明通过在凹槽栅区域和平面栅区域施加不同的栅极电偏置，实现多阈值耦合，从而提高器件的跨导平坦度。

本发明授权一种基于多栅调制的多阈值耦合器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多栅调制的多阈值耦合器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 选取衬底层； 在所述衬底层上生长缓冲层； 在所述缓冲层上生长i-GaN层； 在所述i-GaN层上生长AlGaN势垒层； 在所述AlGaN势垒层上淀积欧姆金属，以制备源极和漏极； 从所述AlGaN势垒层的外围注入离子至所述i-GaN层内，以实现器件隔离； 在所述AlGaN势垒层上制备SiN层； 将栅脚区域的所述SiN层去除，以暴露所述栅脚区域的所述AlGaN势垒层； 在所述栅脚区域的所述AlGaN势垒层上淀积平面栅金属，以制备平面栅； 间隔去除凹槽栅区域的所述平面栅金属、部分所述AlGaN势垒层，以使所述平面栅金属呈预设间隔间断排布； 在所述凹槽栅区域的所述AlGaN势垒层上和间隔排布的所述平面栅金属上制备Al2O3介质层； 在所述凹槽栅区域的所述Al2O3介质层的底部和侧壁上淀积凹槽栅金属，以制备凹槽栅。

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