蓝思科技(长沙)有限公司刘勇获国家专利权
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龙图腾网获悉蓝思科技(长沙)有限公司申请的专利导电薄膜及其制备方法、电子产品盖板和电子产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429832B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210106581.1，技术领域涉及：H01B5/14；该发明授权导电薄膜及其制备方法、电子产品盖板和电子产品是由刘勇;朱斌;陈小群设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本导电薄膜及其制备方法、电子产品盖板和电子产品在说明书摘要公布了：本发明提供了一种导电薄膜及其制备方法、电子产品盖板和电子产品，涉及薄膜技术领域。本发明提供了一种导电薄膜，由用于设置在非金属基材表层以及设置在所述Cr膜层表面的CrSixCyN膜层构成，其中，通过对Cr膜层和CrSixCyN膜层各自膜层厚度和两种膜层厚度比值的限定，以及控制CrSixCyN膜层中Si和C的含量使得该导电薄膜同时具有低电阻、高硬度和耐摩擦的性能，可有效避免长时间使用摩擦出现质量信赖性问题。本发明还提供了上述导电薄膜的制备方法，通过采用ICP辅助磁控溅射方法，可提高成膜的致密性，使得Cr膜层与非金属基材之间、CrSixCyN膜层与Cr膜层之间均具有良好的结合力。
本发明授权导电薄膜及其制备方法、电子产品盖板和电子产品在权利要求书中公布了：1.一种导电薄膜，其特征在于，由用于设置在非金属基材表面的Cr膜层以及设置在所述Cr膜层表面的CrSixCyN膜层构成； 所述Cr膜层的厚度为0.3-0.5μm，所述CrSixCyN膜层的厚度为0.8-1.3μm，所述Cr膜层与所述CrSixCyN膜层的厚度比为1：（2.25-3.00）； 所述CrSixCyN膜层中，x为0.8-1.2，y为0.5-1.0。
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