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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种RFLDMOS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429908B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210104667.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种RFLDMOS器件及其制造方法是由遇寒设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种RFLDMOS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种RFLDMOS器件及其制造方法，提供衬底，在衬底上形成外延层，在外延层上方生长厚栅氧层，光刻打开源区形成区域、靠源的部分栅极形成区域以及靠栅的部分漂移区形成区域，利用湿法刻蚀工艺去除光刻打开区域的厚栅氧层，并在剩余的厚栅氧层的两端形成底切，在外延层上方生长薄栅氧层，薄栅氧层和厚栅氧层共同构成阶梯型栅氧层，进行后续工艺形成阶梯型法拉第屏蔽罩。本发明的阶梯型法拉第屏蔽罩，在兼顾击穿电压的同时改善了热载流子性能，降低了法拉第屏蔽罩对地电阻，有效提升了器件的可靠性和频率特性，使得单层法拉第屏蔽罩能够达到传统具有两层甚至三层法拉第屏蔽罩的效果，减少了法拉第屏蔽罩的光刻层次，简化了工艺，节省了成本。

本发明授权一种RFLDMOS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成外延层，在所述外延层上方生长厚栅氧层； 步骤二、光刻打开源区形成区域、靠源的部分栅极形成区域以及靠栅的部分漂移区形成区域； 步骤三、利用湿法刻蚀工艺去除源区形成区域、靠源的部分栅极形成区域以及靠栅的部分漂移区形成区域的所述厚栅氧层，并在剩余的所述厚栅氧层的两端形成底切； 步骤四、在所述源区形成区域、靠源的部分栅极形成区域、靠栅的部分漂移区形成区域的外延层上方生长薄栅氧层，所述薄栅氧层和所述厚栅氧层共同构成阶梯型栅氧层； 步骤五、淀积多晶硅并利用光刻刻蚀工艺在所述栅极形成区域形成栅极； 步骤六、在所述外延层内制作体区和漂移区； 步骤七、制作栅极侧墙，并在所述体区内形成重掺杂区和源区，在所述漂移区内形成漏区； 步骤八、在所述源区、所述漏区以及所述栅极上形成金属硅化物； 步骤九、淀积一层介质层，所述介质层覆盖所述体区、所述漂移区和所述栅极顶部； 步骤十、在所述介质层上方淀积一层法拉第屏蔽层； 步骤十一、利用光刻刻蚀工艺在所述栅极靠近所述漏区的部分上方和所述靠栅的部分漂移区形成区域上方形成法拉第屏蔽罩。

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