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龙图腾网获悉广州安凯微电子股份有限公司申请的专利一种自适应温度和电源电压的环形振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114553191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210097186.1，技术领域涉及：H03K3/011；该发明授权一种自适应温度和电源电压的环形振荡器是由徐华超;胡胜发设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自适应温度和电源电压的环形振荡器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自适应温度和电源电压的环形振荡器，包括：电源电压－电流转换器、CTAT电流发生器和电流控制振荡器；电源电压－电流转换器，用于对电路中产生的负温度特性和正温度特性进行抵消，输出与电源电压成正比的第一电流；CTAT电流发生器，用于使预设阈值电压MOS管的宽长比大于常规阈值电压MOS管的宽长比，输出与温度成负斜率线性关系的第二电流；电流控制振荡器，用于获取第一电流和第二电流相减之后的总电流作为输入，输出振荡频率。与现有技术相比，该器件电路结构简单，实现对温度和电源电压的双重补偿，可广泛应用于SoC系统中，提高了器件的适用性。

本发明授权一种自适应温度和电源电压的环形振荡器在权利要求书中公布了：1.一种自适应温度和电源电压的环形振荡器，其特征在于，包括：电源电压－电流转换器、CTAT电流发生器和电流控制振荡器； 其中，所述电源电压－电流转换器，用于对电路中产生的负温度特性和正温度特性进行抵消，输出与电源电压成正比的第一电流； 所述CTAT电流发生器，用于通过设置预设阈值电压MOS管和常规阈值电压MOS管，以使所述预设阈值电压MOS管的宽长比大于所述常规阈值电压MOS管的宽长比，输出与温度成负斜率线性关系的第二电流； 所述电流控制振荡器，用于获取所述第一电流和所述第二电流相减之后的总电流作为所述电流控制振荡器的输入，输出振荡频率； 所述电源电压－电流转换器，包括：第一电源电压、第二电源电压、第一接地、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和第一电阻； 其中，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅端分别与所述第二电源电压相连接；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源端分别与所述第一电源电压相连接；所述第一NMOS管的栅端和所述第二NMOS管的栅端、漏端分别与所述第一PMOS管的漏端相连接；所述第三NMOS管的栅端和第四NMOS管栅端、漏端分别与所述第二PMOS管的漏端相连接；所述第一NMOS管的源端与所述第一接地连接；所述第二NMOS管和所述第三NMOS管的源端分别与所述第一NMOS管的漏端相连接；所述第三NMOS管的漏端分别与所述第四NMOS管的源端和所述第一电阻的第一端相连接；栅漏短接的所述第三PMOS管的栅漏端和所述第四PMOS管的栅端分别与所述第一电阻的第二端相连接；所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的源端分别与所述第一电源电压相连接；栅漏短接的所述第五NMOS管的栅漏端和所述第六NMOS管的栅端分别与所述第四PMOS管的漏端相连接；所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的源端分别与所述第一接地相连接，所述第六NMOS管的漏端为所述电源电压－电流转换器的电流输出端。

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