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龙图腾网获悉深圳大道半导体有限公司申请的专利半导体发光器件及其压膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628567B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210092574.0，技术领域涉及：H10H20/852；该发明授权半导体发光器件及其压膜方法是由李刚;钟伟荣;刘运筹设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体发光器件及其压膜方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体发光器件及其压膜方法，半导体发光器件的压膜方法包括以下步骤：S1、将半导体发光器件和弹性围堰定位在下治具上，弹性围堰设置在半导体发光器件的外围；S2、将胶液设置在半导体发光器件上并位于弹性围堰的内圈；S3、上治具向下移动直至抵压胶液和弹性围堰的顶部，使得胶液充满上治具和弹性围堰之间界定的空间，均匀覆盖在半导体发光器件上；S4、加热固化处理，使胶液形成均匀的胶膜层；S5、上治具向上移动，与胶膜层脱离；S6、将带有胶膜层的半导体发光器件及弹性围堰一体从下治具取下，切除弹性围堰。本发明的半导体发光器件的压膜方法，获得均匀性好、厚度均匀的胶膜层，提高产品质量；利于多件同时压膜，提高效率。

本发明授权半导体发光器件及其压膜方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光器件的压膜方法，其特征在于，利于半导体发光器件多件同时压膜，所述半导体发光器件的压膜方法包括以下步骤： S1、将半导体发光器件和弹性围堰定位在下治具上，并且将所述弹性围堰设置在所述半导体发光器件的外围；在所述弹性围堰的外围设置辅助围堰，所述辅助围堰的高度等于或大于所述弹性围堰的高度； 所述半导体发光器件包括基板、设置在所述基板第一表面上的半导体发光芯片；所述基板的第二表面朝向并定位在所述下治具上； S2、将胶液设置在所述半导体发光器件上并位于所述弹性围堰的内圈； 所述胶液在所述半导体发光器件上形成拱起状态，最高部分的高度高于所述弹性围堰的高度； 步骤S2之后，还包括：抽真空处理，去除所述胶液内的气泡；所述抽真空处理为对上治具和所述下治具所处的密闭空间进行抽真空，以此去除胶液内的气泡； S3、上治具向下移动直至抵压所述胶液和弹性围堰的顶部，使得所述胶液充满所述上治具和所述弹性围堰之间界定的空间，均匀覆盖在所述半导体发光器件上；所述下治具上还设有至少一个限位支柱；所述限位支柱位于所述弹性围堰的外侧，所述半导体发光器件的高度＜所述限位支柱的高度＜所述弹性围堰的高度；所述上治具向下移动至抵接在所述限位支柱上； 所述上治具朝向所述下治具的表面设有凹槽，形成胶液缓存空间，所述上治具向下移动抵压所述胶液和所述弹性围堰的顶部后，多余胶液挤压进入所述胶液缓存空间；当所述胶液溢出所述弹性围堰时，溢出的胶液部分被限制在所述弹性围堰和辅助围堰之间； 所述上治具在抵接所述弹性围堰的顶部后继续下压，使所述弹性围堰的顶部变形，压制所述胶液使其充满整个所述弹性围堰的内圈空间，确保所述胶液能够覆盖整个所述半导体发光器件的表面且覆盖厚度均匀；所述胶液覆盖所述基板的第一表面及其上的所述半导体发光芯片； 在所述上治具向下移动之前，所述上治具的压制区域预先设有离型膜层； S4、加热固化处理，使所述胶液形成均匀的胶膜层；加热固化后，所述基板第一表面上的胶膜层的厚度=受压后的所述弹性围堰的高度-所述基板的厚度； S5、所述上治具向上移动，与所述胶膜层脱离； S6、将带有胶膜层的所述半导体发光器件及弹性围堰一体从所述下治具取下，切除所述弹性围堰。

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