买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利模拟均衡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114448353B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210076521.X，技术领域涉及：H03D7/14；该发明授权模拟均衡器是由雒超;胡思睿;曹刚;郭国平设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本模拟均衡器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种模拟均衡器，该模拟均衡器包括第一输入模块、第二输入模块及输出模块。第一输入模块，包括第一输入单元和第一输出单元，第一输入单元用于接收第一外部电压信号，第一输出单元用于提供第一电流信号；第二输入模块，包括第二输入单元和第二输出单元，第二输入单元用于接收第二外部电压信号，第二输出单元用于提供第二电流信号；输出模块，与第一输入模块和第二输入模块相连，用于将第一电流信号和或第二电流信号转为电压信号并输出。

本发明授权模拟均衡器在权利要求书中公布了：1.一种模拟均衡器，包括： 第一输入模块，包括第一输入单元和第一输出单元，第一输入单元用于接收第一外部电压信号，第一输出单元用于提供第一电流信号，第一输入单元包括第一INN输入端和第一INP输入端； 第二输入模块，包括第二输入单元和第二输出单元，第二输入单元用于接收第二外部电压信号，第二输出单元用于提供第二电流信号，第二输入单元包括第二INN输入端和第二INP输入端；以及 输出模块，与第一输入模块和第二输入模块相连，用于将第一电流信号和或第二电流信号转为电压信号并输出，输出模块包括： 第五PMOS管，源极与第一外部电源连接； 第六PMOS管，源极与第一外部电源连接，第六PMOS管栅极与第五PMOS管栅极连接； 第一级联PMOS管，源极与第五PMOS管漏极连接； 第二级联PMOS管，源极与第六PMOS管漏极连接，第二级联PMOS管栅极与第一级联PMOS管栅极连接； 第一级联NMOS管，漏极与第一级联PMOS管漏极连接； 第二级联NMOS管，漏极与第二级联PMOS管漏极连接，第二级联NMOS管栅极与第一级联NMOS管连接； 第五NMOS管，漏极与第一级联NMOS管源极连接，第五NMOS管源极接地； 第六NMOS管，漏极与第二级联NMOS管源极连接，第六NMOS管栅极与第五NMOS管栅极连接，第六NMOS管源极接地； 负载电容，一端与第一级联NMOS管漏极连接，另一端与第二级联NMOS管漏极连接； 两个等大的负载电阻，两个等大的负载电阻串联后一端与第一级联NMOS管漏极连接，另一端与第二级联NMOS管漏极连接； P输出端，与第一级联NMOS管漏极连接；以及 N输出端，与第二级联NMOS管漏极连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学技术大学，其通讯地址为：230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。