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龙图腾网获悉新电元工业株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210037592.9，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权半导体装置是由神田良设计研发完成，并于2022-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置，其能够将整流元件内置在栅极驱动器IC中且不易引发漏电流增加、耐压降低、元件损坏等不良状况。其包括：具有p型基板111和n型第一半导体层112的半导体基体110；第一电极120；第二电极130；元件分离膜140；绝缘膜150；以及配置在绝缘膜150上的第三电极160，其中，第一电极120与连接第一电源Vin的第一电路C1电连接，第二电极130与连接第二电源Vcc的第二电路C2电连接，半导体基体110进一步具有p型背栅区域113，该背栅区域113以至少隔着绝缘膜150到达基板111的深度形成在与第三电极160相对的区域并且杂质浓度在1×1010cm‑3～1×1015cm‑3范围内。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 半导体基体，具有第一导电类型的基板、形成在所述基板上的第二导电类型的第一半导体层、以及形成在所述基板上的与所述第一半导体层邻接区域的第一导电型的背栅区域； 第一电极，配置在所述半导体基体的上方，并与所述半导体基体接触； 第二电极，配置在所述半导体基体的上方的与所述第一电极分离的位置上，并与所述半导体基体接触； 元件分离膜，形成在所述半导体基体的表面上的所述第一电极与所述第二电极之间的区域； 绝缘膜，配置在所述半导体基体的表面上的所述第二电极与所述元件分离膜之间；以及 第三电极，配置在所述绝缘膜上， 其中，所述第一电极配置在所述半导体基体的上方的相对于所述元件分离膜与形成有背栅区域的一侧相反的一侧的位置上， 所述第二电极配置在隔着所述元件分离膜的所述第一电极的相反侧的位置上， 所述元件隔离膜配置在所述第一半导体层的中央区域的表面上， 所述第三电极配置在所述绝缘膜上的与所述元件分离膜相接的位置，所述第三电极隔着所述绝缘膜与所述背栅区域的一部分以及所述第一半导体层的一部分相向配置， 所述第一电极与连接到第一电源的第一电路电连接， 所述第二电极与连接到第二电源的第二电路电连接， 所述背栅区域以至少隔着所述绝缘膜到达所述基板的深度形成在与所述第三电极相对的区域，并且其杂质浓度在1×1010cm-3～1×1015cm-3范围内， 所述半导体基体进一步具有：形成在与所述第二电极连接区域且杂质浓度高于所述第一半导体层的第二导电型的接触区域、以及形成在包围所述接触区域的区域且杂质浓度低于所述接触区域的第二导电型的半导体区域， 所述背栅区域也形成在所述第二导电型半导体区域与所述基板之间。

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