上海华虹宏力半导体制造有限公司颜树范获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210008426.6，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法是由颜树范设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法，属于半导体器件及制造领域。该方法中，沟槽内底部厚氧化层工艺作为屏蔽栅厚介质层，淀积沟道并回刻后留下沟槽侧壁栅多晶硅，而沟槽正中薄层多晶硅被去除以填充接触孔介质层；相较于相关技术中先淀积形成源极和后淀积形成栅多晶硅相比，本器件用深接触孔替代传统屏蔽栅中的多晶硅，起到工艺流程精简的效果。
本发明授权一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅MOSFET器件的制作方法，其特征在于，该制作方法包括： 提供衬底（1），在所述衬底（1）上刻蚀形成第一沟槽（S1）； 在所述第一沟槽（S1）底部填充屏蔽栅厚介质层（2）； 在所述屏蔽栅厚介质层（2）上方且所述第一沟槽（S1）内壁形成栅介质层（3）； 在贴近所述栅介质层（3）侧壁处淀积形成栅多晶硅（4）； 执行离子注入工艺在所述栅介质层（3）两侧形成阱（5），并在所述阱（5）上方形成源极（6）； 在所述源极（6）和所述屏蔽栅厚介质层（2）上方沉积接触孔介质层（7）； 刻蚀所述接触孔介质层（7），使得所述屏蔽栅厚介质层（2）、所述栅多晶硅（4）和所述源极（6）上方形成接触孔（71）； 在所述衬底（1）的背面形成背面金属（8）以及在所述接触孔（71）中填充正面金属（9）。
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