买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉晶焱科技股份有限公司申请的专利用以侦测漏电流的二极管测试模块及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114527363B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210002630.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权用以侦测漏电流的二极管测试模块及其测试方法是由叶致廷;黄菘志;林昆贤;庄哲豪设计研发完成，并于2022-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本用以侦测漏电流的二极管测试模块及其测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种二极管测试模块及其测试方法，公开具有第一导电型的基板及形成于基板上并具有第二导电型的磊晶层。磊晶层上形成有具有第一导电型的井型区，具有第二导电型的第一、第二重掺杂区电性耦接于第一、第二输入输出端，并且理论上应形成于井型区中，其中形成有隔离沟槽提供电性隔离。当输入一操作电压时，本发明提供具有第三、第四重掺杂区的侦测单元，使其设置于第一、第二输入输出端间的电流导通路径上，通过设置侦测单元侦测是否有漏电流的产生，本发明在无须额外进行传统电容测试设备及测试时间的情况下，有效判断其井型区是否丢失。

本发明授权用以侦测漏电流的二极管测试模块及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种测试方法，适于用以侦测一漏电流的一二极管测试模块，其特征在于，包括以下步骤： 提供具有一第一导电型的一基板，以及形成于该基板上的一磊晶层，该磊晶层具有一第二导电型； 提供具有该第一导电型的一井型区，该井型区形成于该磊晶层中，并在该井型区中形成具有该第二导电型的一第一重掺杂区与具有该第二导电型的一第二重掺杂区，该第一重掺杂区与该第二重掺杂区分别电性耦接于一第一输入输出端与一第二输入输出端； 在该第一重掺杂区与该第二重掺杂区之间形成有至少一隔离沟槽，以提供电性隔离，其中，该至少一隔离沟槽的深度大于该磊晶层的深度； 提供一侦测单元，当该第一输入输出端或该第二输入输出端被给定偏压时，该侦测单元设置于该第一输入输出端与该第二输入输出端之间的一电流导通路径上，其中，该侦测单元包括具有该第二导电型的一第三重掺杂区与具有该第二导电型的一第四重掺杂区，该至少一隔离沟槽形成于该第三重掺杂区与该第四重掺杂区之间，以提供电性隔离，并且，该第三重掺杂区与该第四重掺杂区连接有金属走线，其中，该第三重掺杂区与该第四重掺杂区之间通过一连接金属线连接，使该第三重掺杂区与该第四重掺杂区形成短路；以及 当一操作电压输入于该第一输入输出端或是该第二输入输出端时，该侦测单元检测是否有该漏电流的产生，从而确认该第一重掺杂区或该第二重掺杂区是否确实地形成于该井型区中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶焱科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新北市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。