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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344449B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111581749.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈卓凡设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括沿第一方向排列的工作区和隔离区，基底包括衬底、以及凸立于衬底且沿第一方向延伸的鳍部，工作区和隔离区中的鳍部侧部的衬底中形成有掩埋式电源轨，掩埋式电源轨用于加载第一电位；在栅极开口的侧壁和底部、以及鳍部的顶部和侧壁形成栅介质层；在隔离区中，在掩埋式电源轨的顶部形成贯穿栅介质层和隔离层的接触孔；在栅极开口和接触孔中形成栅电极层，栅电极层与位于隔离区中的掩埋式电源轨电连接；在工作区的栅电极层的顶部形成栅极插塞，栅极插塞用于加载第二电位，第二电位和第一电位为相反电位。简化工艺步骤，降低了隔离区中的栅电极层与工作区中的相邻部件发生短接的概率。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括沿第一方向排列的工作区和隔离区，所述基底包括衬底、以及凸立于所述衬底且沿所述第一方向延伸的鳍部； 掩埋式电源轨，位于所述工作区和隔离区中的所述鳍部侧部的衬底中，所述掩埋式电源轨沿所述第一方向延伸，所述掩埋式电源轨用于加载第一电位； 第一介质层，位于所述衬底和掩埋式电源轨顶部，且覆盖所述鳍部部分侧壁； 第一开口，位于所述隔离区中，所述第一开口由所述第一介质层的侧壁和所述掩埋式电源轨的顶部围成，且所述第一开口露出所述掩埋式电源轨的顶面； 栅极结构，分别横跨所述工作区和隔离区的鳍部，且所述隔离区栅极结构用于作为隔断结构，所述栅极结构包括覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁、以及所述第一介质层顶部的栅介质层，还包括覆盖所述栅介质层的栅电极层，在所述隔离区中，所述栅电极层和掩埋式电源轨在所述衬底上的投影具有重叠部分，且所述栅电极层位于所述第一开口中，且位于所述隔离区中的栅电极层贯穿所述掩埋式电源轨顶部的栅介质层和第一介质层，并与所述掩埋式电源轨电连接； 侧墙，位于所述栅极结构的侧壁； 源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的鳍部中且远离侧墙一侧； 第二介质层，位于所述栅极结构露出的所述衬底上，所述第二介质层覆盖所述栅极结构的侧壁，且所述第二介质层的顶部与所述栅极结构的顶部相齐平； 第二开口，贯穿位于所述源漏掺杂层顶部的第二介质层，且所述第二开口露出所述源漏掺杂层的顶面； 源漏互连层，位于所述第二开口中，且所述源漏互连层与源漏掺杂层电连接； 第三介质层，位于所述栅极结构和第二介质层的顶部； 第三开口，位于所述工作区中，所述第三开口贯穿所述栅极结构顶部的所述第三介质层，且露出所述栅极结构的顶面； 栅极插塞，位于所述第三开口中，所述栅极插塞与所述栅极结构相电连接，所述栅极插塞用于加载第二电位，所述第二电位和第一电位为相反电位。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。