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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利RRAM乘加运算电路、方法及模型训练方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114253510B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111574863.6，技术领域涉及：G06F7/544；该发明授权RRAM乘加运算电路、方法及模型训练方法是由余学儒;李琛;陈保安;孙红霞;傅豪设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本RRAM乘加运算电路、方法及模型训练方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种RRAM乘加运算电路、方法及模型训练方法，所述RRAM乘加运算电路控制开关单元、电流镜单元、至少一个反相器单元、至少一个选择开关单元和至少一个电阻单元，所述反相器单元用于对输入的电压进行反相处理并生成反相电压，所述电阻单元根据所述反相电压选择电阻，所述控制单元通过控制所述电阻单元以调节功耗，所述电流镜单元用于对所述电阻单元的输出端进行电流限制以减小电流波动。本发明能够降低神经网络电流量化乘加运算的功耗。

本发明授权RRAM乘加运算电路、方法及模型训练方法在权利要求书中公布了：1.一种RRAM乘加运算电路，其特征在于，包括控制开关单元、电流镜单元、至少一个反相器单元、至少一个选择开关单元和至少一个电阻单元，所述反相器单元用于对输入的电压进行反相处理并生成反相电压，所述电阻单元根据所述反相电压选择电阻，所述控制开关单元通过控制所述电阻单元以调节功耗，所述电流镜单元用于对所述电阻单元的输出端进行电流限制以减小电流波动，其中： 所述电阻单元包括至少一个选择电阻和至少一个选通开关，所述控制开关单元包括至少一个控制开关；每一个所述电阻单元通过对应连接的选择开关单元进行控制，所述电阻单元中的每一对连接的选择电阻和选通开关之间均通过对应连接的控制开关单元进行导通控制，从而实现对选择开关单元和控制开关单元的共享； 针对一个所述电阻单元，各所述选通开关的输入端与该电阻单元对应连接的所述反相器单元的输入端电连接，各所述选通开关的输出端与对应连接的所述选择电阻一端电连接，该反相器单元的输出端与其对应连接的所述选择开关单元一端电连接，该选择开关单元的另一端与各选通开关的控制端电连接，一个所述选择电阻的另一端与一个所述控制开关一端电连接，各所述控制开关另一端与所述电流镜单元的输入端电连接。

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