清华大学马昕雨获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种电光传感器静态偏置点工艺校正的方法和电光传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114460378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111574849.6，技术领域涉及：G01R29/08；该发明授权一种电光传感器静态偏置点工艺校正的方法和电光传感器是由马昕雨;牟星;庄池杰;曾嵘;唐建石;高滨;钱鹤;吴华强设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电光传感器静态偏置点工艺校正的方法和电光传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电光传感器静态偏置点工艺校正的方法和电光传感器，电光传感器静态偏置点工艺校正的方法，包括以下步骤：测量电光传感器的静态偏置点与π2的偏差；调节光波导的有效折射率，使所述电光传感器的静态偏置点达到π2。本发明通过在过渡族金属氧化物阻变材料两侧施加外电压，调节其介电常数，从而改变光波导的有效折射率，使静态偏置点达到π2，校正电光传感器制作中难以避免的工艺误差；外电压在调节完成后会被撤掉，过渡族金属氧化物阻变材料介电常数不变，从而光波导的有效折射率保持不变，所以该技术是无源的；过渡族金属氧化物阻变材料具有连续光调节功能，在不同电压激励下连续改变介电常数，满足不同应用需求。
本发明授权一种电光传感器静态偏置点工艺校正的方法和电光传感器在权利要求书中公布了：1.一种电光传感器静态偏置点工艺校正的方法，其特征在于，包括以下步骤： 测量电光传感器的静态偏置点与π2的偏差； 调节光波导的有效折射率，使所述电光传感器的静态偏置点达到π2，包括以下子步骤： 将过渡族金属氧化物阻变材料层作为介电常数的调制层，设置于下电极和上电极之间； 通过在过渡族金属氧化物阻变材料两侧施加外电压，调节过渡族金属氧化物阻变材料的介电常数，从而改变光波导的有效折射率，使静态偏置点达到π2； 撤去外电压，所述过渡族金属氧化物阻变材料的介电常数保持不变。
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