上海华虹宏力半导体制造有限公司令海阳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利CMOS图像传感器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242743B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111541260.6，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权CMOS图像传感器的制造方法是由令海阳设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS图像传感器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：步骤一、提供半导体衬底，在像素区的所述半导体衬底上形成有多层金属互联层，在各层金属互联层之间间隔有层间膜；在像素区的顶层金属互联层的表面上形成顶层层间膜；步骤二、定义出顶部沟槽的形成区域；步骤三、以像素区的顶层金属互联层的顶部表面为停止层，对像素区的顶层层间膜进行刻蚀形成顶部沟槽；步骤四、沉积形成第一盖帽层，第一盖帽层至少覆盖在顶部沟槽的底部表面上并作为像素区的保护层。本发明能提高像素区的顶部沟槽的刻蚀均匀性，从而能防止对形成于顶部沟槽中的彩色滤光片和微透镜的工艺产生不利影响，并从而提高器件性能。
本发明授权CMOS图像传感器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括： 步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有CMOS图像传感器的像素区结构，在所述像素区的所述半导体衬底上形成有多层金属互联层，在各层所述金属互联层之间间隔有层间膜；在所述像素区的顶层金属互联层的表面上形成顶层层间膜； 步骤二、定义出顶部沟槽的形成区域，所述顶部沟槽的形成区域位于所述像素区的顶部并为用于形成彩色滤光片或微透镜的区域； 步骤三、以所述像素区的顶层金属互联层的顶部表面为停止层，对所述像素区的顶层层间膜进行刻蚀形成所述顶部沟槽，通过以所述像素区的顶层金属互联层的顶部表面为停止层来保证所述顶部沟槽具有平坦的底部表面； 步骤四、沉积形成第一盖帽层，所述第一盖帽层至少覆盖在所述顶部沟槽的底部表面上并作为所述像素区的保护层，沉积工艺使所述第一盖帽层的厚度均匀以及所述顶部沟槽的平坦的底部表面使所述第一盖帽层的顶部表面平坦，以有利于所述彩色滤光片或所述微透镜的形成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号