深圳先进技术研究院童佩斐获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳先进技术研究院申请的专利宽禁带铜镓硒光吸收层及其制备方法、太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203842B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111537336.8，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权宽禁带铜镓硒光吸收层及其制备方法、太阳能电池是由童佩斐;李文杰;李国啸;陈志勇;刘旭辉;杨春雷;冯叶;钟国华;邵龑;李伟民;陈明设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本宽禁带铜镓硒光吸收层及其制备方法、太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明提供了一种宽禁带铜镓硒光吸收层及其制备方法，所述宽禁带铜镓硒光吸收层包括铜镓硒薄膜层和覆设于铜镓硒薄膜层上的铟镓薄膜层，铜镓硒薄膜层和铟镓薄膜层的界面经由退火工艺形成有InCu反位缺陷。其制备方法包括：将基底加热至第一温度，在基底上共蒸镓和硒；提高基底的温度至第二温度，在基底上共蒸铜和硒；保持基底的温度为第二温度，在基底上共蒸铟、镓和硒；保持基底的温度为第二温度，在硒气氛下对基底进行退火处理，制备获得宽禁带铜镓硒光吸收层。本发明还提供了包括所述宽禁带铜镓硒光吸收层的太阳能电池。本发明提供的宽禁带铜镓硒光吸收层在具备宽禁带的基础上又能获得更高效率太阳能电池，可以更好地适用于叠层太阳能电池。
本发明授权宽禁带铜镓硒光吸收层及其制备方法、太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带铜镓硒光吸收层，其特征在于，包括铜镓硒薄膜层和覆设于所述铜镓硒薄膜层上的铟镓薄膜层，所述铜镓硒薄膜层和所述铟镓薄膜层的界面经由退火工艺形成有InCu反位缺陷，以在晶界面形成了有利于电荷分离和抑制界面复合的再构相结构。
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