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龙图腾网获悉天津三安光电有限公司申请的专利发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114651337B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180005916.4，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权发光二极管及发光装置是由吴志伟;王燕云;熊伟平;高迪;郭桓邵;彭钰仁设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管和发光装置，本发明提供的发光二极管中，包含有源层的第一台体通过限定在同等面积下的周长与面积比γ满足使得在同等的有源层发光面积下，第一台体的侧面暴露出来部分更少，从而减少在小电流发光二极管中因侧壁缺陷产生的光吸收以及非辐射复合的问题，此外，非平面的出光面可以提高发光二极管的侧壁出光几率，进一步提高了发光二极管的外部发光效率。

本发明授权发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，具有相对上下的第一表面（100）和第二表面（200），所述第一表面（100）包括依次连接的第一侧边、第二侧边、第三侧边、第四侧边，还包括： 外延结构，具有从上到下依次叠层的第一台体（10a）和第二台体（10b），所述第一台体（10a）至少包括第一类型半导体层（11）和有源层（13），所述第二台体（10b）至少包括第二类型半导体层（12），所述第二台体（10b）的上表面面积大于或等于所述第一台体（10a）的下表面面积； 其特征在于： 所述第一台体（10a）于所述第一表面100所在平面投影的面积为s，其周长与面积比γ满足≤γ＜； 其中，L1为所述第一台体（10a）的上表面向经过所述第一侧边且垂直于所述第一表面（100）的平面方向的投影长度； 所述第一类型半导体层（11）上设置有第一接触电极（31），所述第一接触电极（31）包括第一点状电极（31a）和两个第一延伸部（31b），两个所述第一延伸部（31b）从所述第一点状电极（31a）开始分别向发光二极管的不同侧边方向延伸； 所述第二类型半导体层（12）上设置有第二接触电极（32），所述第二接触电极（32）为点状电极，或所述第二接触电极（32）包括第二点状电极（32a）和两个第二延伸部（32b），两个所述第二延伸部（32b）从所述第二点状电极（32a）开始分别向发光二极管相对的侧边方向延伸; 在垂直于所述发光二极管第一表面（100）且经过所述第四侧边的平面内，所述第二接触电极（32）在该平面的投影长度小于到第一接触电极（31）在该平面的投影长度；两个所述第一延伸部（31b）形成弧形段； 所述第一类型半导体层（11）的厚度为2~5μm，所述有源层（13）的厚度为0.02~0.07μm，第二类型半导体层（12）的厚度为3~11μm； 所述发光二极管的工作电流为0.01mA~1.5mA，尺寸小于300μm。

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