中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王楠获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116261321B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111501560.1，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，包括器件单元区，器件单元区的衬底顶部形成有多个沟道结构，相邻沟道结构之间形成有介电墙，沿第一方向，沟道结构所在的区域包括有效区和待切割区；去除待切割区的沟道结构；去除位于待切割区的侧部且覆盖沟道结构侧壁的介电墙；在衬底顶部形成横跨沟道结构、以及位于沟道结构之间的介电墙的伪栅结构；去除待切割区的沟道结构、以及去除位于待切割区的侧部且覆盖沟道结构侧壁的介电墙之后，在伪栅结构两侧的沟道叠层中形成源漏掺杂层，待切割区侧部的源漏掺杂层还沿第二方向延伸覆盖部分宽度的介电墙端面。提高了源漏互连结构与源漏掺杂层之间的电连接性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括器件单元区； 沟道结构层，位于所述器件单元区的所述衬底上，所述沟道结构沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，所述第二方向垂直于所述第一方向，在所述器件单元区中，所述沟道结构层包括第一类沟道结构层和第二类沟道结构层，沿所述第一方向，所述第一类沟道结构层的端部相对于同侧的第二类沟道结构层的端部向内缩进； 介电墙，位于相邻所述沟道结构层之间的衬底上，且所述介电墙覆盖所述沟道结构的相对侧壁； 器件栅极结构，位于所述衬底的顶部且横跨所述沟道结构层和介电墙，所述器件栅极结构覆盖所述沟道结构层和介电墙的部分顶部和部分侧壁、以及所述介电墙的部分顶部； 源漏掺杂层，位于所述器件栅极结构两侧的沟道结构层中，且在所述第一类沟道结构层的端部向内缩进的位置处，所述第二类沟道结构层中的源漏掺杂层还沿所述第二方向延伸覆盖部分宽度或全部宽度的所述介电墙端面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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